一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块。所述衬底包括多个金属敷层及其上安装的多个功率半导体芯片，第一功率半导体芯片安装在第一金属敷层上；第二金属敷层布置于第一金属敷层旁，与第一金属敷层相邻，并与第一金属敷层上的第一功率半导体芯片相连；第三金属敷层布置于第一金属敷层旁，与第一金属敷层相邻，并与第一功率半导体芯片相连；第二功率半导体芯片安装在第三金属敷层上；第四金属敷层布置于第一金属敷层旁，与第三金属敷层相邻，并与第二功率半导体芯片相连。与现有技术相比，本实用新型专利技术提供的具有低杂散电感衬底的功率半导体模块的优势在于可减小功率回路的杂散电感，提高功率模块的功率密度和运行可靠性。

A low stray inductor substrate and its power semiconductor module

The utility model discloses a low stray inductance substrate and a power semiconductor module. The substrate includes a plurality of power semiconductor chips, a plurality of metal coating and installed on the first power semiconductor chip mounted on the first metal layer; second metal coating is arranged on the first metal layer adjacent, adjacent to the first metal layer, and connected with the first power semiconductor chip on the first metal layer; the third metal coating is arranged on the first metal layer adjacent, adjacent to the first metal layer, and connected with the first power semiconductor chip; second power semiconductor chip is mounted on the third metal coating; fourth metal coating is arranged on the first metal layer adjacent and adjacent third metal layer, and connected with the power of second a semiconductor chip. Compared with the existing technology, the power semiconductor module provided with the low stray inductance substrate provided by the utility has the advantage of reducing the stray inductance of the power circuit, and improving the power density and operation reliability of the power module.

【技术实现步骤摘要】
一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块
本技术具体涉及一种衬底和功率半导体模块，具体是涉及了一种安装有多个功率半导体芯片的衬底和包括这样衬底和功率半导体芯片的功率半导体模块。
技术介绍
对于工作在开关状态的功率半导体模块，关断时的电压尖峰(ΔV＝L×di/dt)取决于功率半导体元件关断时的电流变化率di/dt和换流回路的杂散电感L。在功率半导体模块关断时，半导体元件上的电压等于直流母线电压Vdc与电压尖峰ΔV之和，若该电压超过半导体元件的额定值，则会导致元件击穿和失效。而提高半导体元件的开关速度di/dt有利于减小模块的开关损耗。另一方面，在半导体元件最大电压一定的情况下，减小电压尖峰ΔV可帮助提高模块可允许的最大母线电压，从而提高功率模块的输出功率。因此，减小功率半导体模块的杂散电感对于提高模块的开关频率、减小开关损耗和提高模块的功率密度十分重要，需要在设计功率半导体模块时着重考虑。功率半导体模块的杂散电感一般包括正负连接端子的杂散电感、模块衬底的杂散电感，以及它们之间的互感。为减小杂散电感，需要减小回路面积。对于正负连接端子，可通过(1)减小正负端子间距；(2)增加正负端子交叠面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述衬底(1)包括多个金属敷层(10～13)及其上安装的多个功率半导体芯片(21,22)，具体包括：第一金属敷层(10)，第一功率半导体芯片(21)安装在所述第一金属敷层(10) 上；第二金属敷层(11)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)的反向上与第一金属敷层(10)相邻，并且通过接合装置(31)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连；第三金属敷层(12)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)上与第一金属敷层(10)相邻，并且通过接合装置(32)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连；第三金属敷层(...

【技术特征摘要】
1.一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述衬底(1)包括多个金属敷层(10～13)及其上安装的多个功率半导体芯片(21,22)，具体包括：第一金属敷层(10)，第一功率半导体芯片(21)安装在所述第一金属敷层(10)上；第二金属敷层(11)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)的反向上与第一金属敷层(10)相邻，并且通过接合装置(31)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连；第三金属敷层(12)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)上与第一金属敷层(10)相邻，并且通过接合装置(32)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连；第三金属敷层(12)，第二功率半导体芯片(22)安装在所述第三金属敷层(12)上；第四金属敷层(13)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)上与第三金属敷层(12)相邻，并且通过接合装置(33)与位于第三金属敷层(12)上的第二功率半导体芯片(22)相连。2.根据权利要求1所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述的第二方向(52)和第一功率半导体芯片(21)的安装布置方向一致。3.根据权利要求1所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述第一金属敷层(10)在第一方向(51)和第一方向(51)的反向上有突出于第三金属敷层(12)和第四金属敷层(13)的第一延伸结构，并且第一延伸结构突出于第三金属敷层(12)和第四金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨贺雅，罗浩泽，梅烨，
申请(专利权)人：臻驱科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31