一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，解决了现有的IGBT吸收电路主要是在每个IGBT两端连接电容来吸收IGBT两端的尖峰电压，在小功率的主回路中，这种电路是一种成本较低且能有效控制尖峰电压的电路，若是功率增大，电路本身存在的杂散电感的作用将会突出，无法有效抑制尖峰电压的技术问题。本实用新型专利技术实施例包括：电容吸收电路和RCD吸收电路；电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；RCD吸收电路与所述IGBT逆变桥的IGBT并联连接。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及过冲电压吸收
，尤其涉及一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路。
技术介绍
在三相不平衡调节模块中，采用了IGBT逆变桥作为主电路，IGBT为关键器件。IGBT是一种全控型的开关元件，开通以后，其工作电流较大，关断的时候，如果速度比较快，则di/dt会很大，因为U＝L*(di/dt)，这样，如果主电路的杂散电感又比较大的话，关断时在IGBT的C、E极两端会产生感应电势，Uce可能会超过IGBT的耐压极限，所以要用吸收电容吸收过冲电压，保护IGBT不被击穿。现有的IGBT吸收电路主要是在每个IGBT两端连接电容来吸收IGBT两端的尖峰电压，在小功率的主回路中，这种电路是一种成本较低且能有效控制尖峰电压的电路，若是功率增大，电路本身存在的杂散电感的作用将会突出，无法有效抑制尖峰电压。
技术实现思路
本技术实施例公开了一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，解决了现有的IGBT吸收电路主要是在每个IGBT两端连接电容来吸收IGBT两端的尖峰电压，在小功率的主回路中，这种电路是一种成本较低且能有效控制尖峰电压的电路，若是功率增大，电路本身存在的杂散电感的作用将会突出，无法有效抑制尖峰电压的技术问题。本技术实施例提供了一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，包括：电容吸收电路和RCD吸收电路；电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；RCD吸收电路与所述IGBT逆变桥的IGBT并联连接。进一步地，RCD吸收电路由两个RCD电路构成，包括第一RCD电路和第二RCD电路。进一步地，第一RCD电路和所述第二RCD电路分别与所述IGBT逆变桥的上半桥臂IGBT和下半桥臂IGBT并联连接。优选地，第一RCD电路包括电阻R1、电容C1和二极管D1，所述电阻R1与所述二极管D1并联连接，并串联有所述电容C1。优选地,第二RCD电路包括电阻R2、电容C2和二极管D2，所述电阻R2与所述二极管D2并联连接，并串联有所述电容C2。优选地，电容吸收电路为单电容吸收电路。进一步地，单电容吸收电路由电容C3构成。进一步地，电容吸收电路跨接在所述IGBT逆变桥的整个逆变桥臂的两端。优选地，第一RCD电路和所述上半桥臂IGBT，所述第二RCD电路和所述下半桥臂IGBT间均并联有续流电路。进一步地，续流电路由续流二极管S1、续流二极管S2组成。从以上技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点：本技术实施例提供了一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路包括：电容吸收电路和RCD吸收电路；电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；RCD吸收电路与IGBT逆变桥的IGBT并联连接。本实施例中通过电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；RCD吸收电路与IGBT并联连接，解决了现有的IGBT吸收电路主要是在每个IGBT两端连接电容来吸收IGBT两端的尖峰电压，在小功率的主回路中，这种电路是一种成本较低且能有效控制尖峰电压的电路，若是功率增大，电路本身存在的杂散电感的作用将会突出，无法有效抑制尖峰电压的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例中提供的一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路的结构示意图；具体实施方式本技术实施例公开了一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，解决了现有的IGBT吸收电路主要是在每个IGBT两端连接电容来吸收IGBT两端的尖峰电压，在小功率的主回路中，这种电路是一种成本较低且能有效控制尖峰电压的电路，若是功率增大，电路本身存在的杂散电感的作用将会突出，无法有效抑制尖峰电压的技术问题。请参阅图1，本技术实施例中提供的一种的一个实施例包括：电容吸收电路和RCD吸收电路；电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；RCD吸收电路与所述IGBT逆变桥的IGBT并联连接。进一步地，RCD吸收电路由两个RCD电路构成，包括第一RCD电路和第二RCD电路。进一步地，第一RCD电路和所述第二RCD电路分别与所述IGBT逆变桥的上半桥臂IGBT和下半桥臂IGBT并联连接。优选地，第一RCD电路包括电阻R1、电容C1和二极管D1，所述电阻R1与所述二极管D1并联连接，并串联有所述电容C1。优选地,第二RCD电路包括电阻R2、电容C2和二极管D2，所述电阻R2与所述二极管D2并联连接，并串联有所述电容C2。优选地，电容吸收电路为单电容吸收电路。进一步地，单电容吸收电路由电容C3构成。进一步地，电容吸收电路跨接在所述IGBT逆变桥的整个逆变桥臂的两端。优选地，第一RCD电路和所述上半桥臂IGBT，所述第二RCD电路和所述下半桥臂IGBT间均并联有续流电路。进一步地，续流电路由续流二极管S1、续流二极管S2组成。需要说明的是，在IGBT的一个全桥桥臂上跨接一个单电容吸收电路，可用于吸收直流母线上分布电感的储能。RCD吸收电路由电阻R、电容C和二极管D组成，当开关关断时，电容C通过二极管D被充电，这样集电极电流有了分路，集电极电流能较快的减小；当开关导通时，电容经电阻和开关管放电，能量主要被电阻消耗。三相不平衡模块IGBT吸收电路采用单电容吸收电路和RCD吸收电路相结结合的方式，对大功率模块中IGBT关断过程产生的尖峰电压有更好的吸收作用，并能控制电路网络间的震荡。本技术实施例提供了一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路包括：电容吸收电路和RCD吸收电路；电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；RCD吸收电路与IGBT逆变桥的IGBT并联连接。本实施例中通过电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；RCD吸收电路与IGBT并联连接，解决了现有的IGBT吸收电路主要是在每个IGBT两端连接电容来吸收IGBT两端的尖峰电压，在小功率的主回路中，这种电路是一种成本较低且能有效控制尖峰电压的电路，若是功率增大，电路本身存在的杂散电感的作用将会突出，无法有效抑制尖峰电压的技术问题。以上对本技术所提供的一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，其特征在于，包括：电容吸收电路和RCD吸收电路；所述电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；所述RCD吸收电路与所述IGBT逆变桥的IGBT并联连接。

【技术特征摘要】
1.一种三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，其特征在于，包括：电容吸收电路和RCD吸收电路；所述电容吸收电路与IGBT逆变桥相接；所述RCD吸收电路与所述IGBT逆变桥的IGBT并联连接。2.根据权利要求1所述的三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，其特征在于，所述RCD吸收电路由两个RCD电路构成，包括第一RCD电路和第二RCD电路。3.根据权利要求2所述的三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，其特征在于，所述第一RCD电路和所述第二RCD电路分别与所述IGBT逆变桥的上半桥臂IGBT和下半桥臂IGBT并联连接。4.根据权利要求3所述的三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，其特征在于，所述第一RCD电路包括电阻R1、电容C1和二极管D1，所述电阻R1与所述二极管D1并联连接，并串联有所述电容C1。5.根据权利要求3所述的三相不平衡调节模块的IGBT吸收电路，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓刚，李兰芳，周永言，李鑫，黄嘉健，吴国兵，蔡晓燕，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44