集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路制造技术

一种集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路。自举结构包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底、兼做漂移区的第二掺杂类型漂移区及兼做衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱，在第一掺杂类型衬底接触阱内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区，在第二掺杂类型漂移区上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区内的一个第二掺杂类型接触区，自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区内的另一个第二掺杂类型接触区，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区相邻。自举电路包括自举结构和自举电容，在自举结构正电极上连接有二极管，自举电容与自举结构负电极连接。

【技术实现步骤摘要】
集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路
本专利技术涉及高压功率集成电路中的高压半桥驱动电路，尤其涉及一种集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路技术，属于功率半导体驱动

技术介绍
高压半桥驱动电路可用于各种领域，如电机驱动、电子镇流器、开关电源等领域中有着广泛的应用，它用来驱动两个以图腾柱形式连接的功率开关器件，使其交替导通。未集成自举二极管的半桥驱动芯片典型连接方式如图2所示，其中，VCC为低侧固定电源，HIN和LIN分别为高侧输入信号以及低侧输入信号，COM为地信号，VB为高侧浮动电源，HO和LO分别为高侧输出信号和低侧输出信号，VS为高侧浮动地。通常情况下，为了提高电源的利用效率，半桥驱动芯片采用单电源供电，低侧直接使用直流电源VCC供电，而高侧则处于浮置状态通过外接自举电容供电，当半桥结构中的下管(低侧管)ML导通，上管(高侧管)MH关断时，高侧浮动电源VB电压随高侧浮动地VS电压下降而下降，当VB电压下降到VCC电压以下并且二者压差超过高压自举二极管DB的导通压降时，VCC通过外置的自举二极管DB对自举电容CB进行充电；当上管开启，下管关断时，VB电压随VS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成在高低压隔离结构上的自举结构，包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底(01)、兼做高低压隔离结构漂移区的第二掺杂类型漂移区(06)及兼做高低压隔离结构衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱(08)，其特征在于，在第一掺杂类型衬底接触阱(08)内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区(14)，在第二掺杂类型漂移区(06)上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，所述自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区(06)内的一个第二掺杂类型接触区(11)，所述自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区(06)内的另一个第二掺杂类型接触区(12)，并且，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区(14)相邻...

【技术特征摘要】
1.一种集成在高低压隔离结构上的自举结构，包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底(01)、兼做高低压隔离结构漂移区的第二掺杂类型漂移区(06)及兼做高低压隔离结构衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱(08)，其特征在于，在第一掺杂类型衬底接触阱(08)内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区(14)，在第二掺杂类型漂移区(06)上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，所述自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区(06)内的一个第二掺杂类型接触区(11)，所述自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区(06)内的另一个第二掺杂类型接触区(12)，并且，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区(14)相邻。2.根据权利要求1所述的集成在高低压隔离结构上的自举结构，其特征在于，在第二掺杂类型漂移区(06)内的一个第二掺杂类型接触区(11)上连接有正电极金属接触(17)，在第二掺杂类型漂移区(06)内的另一个第二掺杂类型接触区(12)上连接有负电极金属接触(18)，第一掺杂类型接触区(14)上连接有衬底接触金属接触(16)。3.根据权利要求1所述的集成在高低压隔离结构上的自举结构，其特征在于，在第一掺杂类型衬底(01)内设有第一掺杂类型埋层(02)且所述第一掺杂类型埋层BP(02)位于第二掺杂类型漂移区(06)与第一掺杂类型衬底接触阱(08)的交界下方，在第一掺杂类型衬底(01)内设有第二掺杂类型埋层(03)且所述第二掺杂类型埋层(03)位于自举结构负电极下方。4.根据权利要求3所述的集成在高低压隔离结构上的自举结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，王浩，张龙，祝靖，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32