一种小型化的低容瞬态电压抑制器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种小型化的低容瞬态电压抑制器，通过在P型浓掺杂衬底上掺杂形成的通流TVS管的上部，生长一层埋层外延层，并进行外延层表面掺杂形成正向低电容导向管，使得正向低电容导向管和通流TVS管完全是上下垂直排列的结构。将该负向低电容导向管，和正向低电容导向管与通流TVS管形成的上下垂直结构靠近并排排列，中间通过深槽隔离；整个器件的上部电极将正、负向低电容导向管直接连成一个压焊区，下电极衬底直接接地。基于本实用新型专利技术的低电容瞬态电压抑制器，其负向低电容导向管、正向低电容导向管与通流TVS管所有三个管子均是纵向排列，不仅大大缩小了芯片面积，而且还简化了晶圆工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
一种小型化的低容瞬态电压抑制器
本技术涉及半导体器件制造
，具体地说，是一种小型化的低容瞬态电压抑制器。
技术介绍
TVS管广泛应用于各种消费类、通信、安防等行业的电子产品之中，尤其目前的电子产品芯片集成度越来越高，主芯片临界尺寸越做越小甚至到达10纳米级别，自然而然主芯片的静电承受能力也越来越脆弱。与此同时，电子产品本身的功能越来越多，其版级电路使用的半导体元器件越来越多，布线也越来越复杂，更容易在使用过程中出现静电、浪涌等过压和过流的情况。此时高性能的TVS管越来越多的被使用和重视。对于高速信号线，比如USB、HDMI、网口等的静电保护，低电容TVS管的使用越来越广泛，据统计在国内市场月均用量达到几亿颗量级。一般为了确保不影响信号传输，低电容TVS管的电容需要小于1pF，其较低的电容值是通过一个正向低电容导向管(Steeringdiode)和普通TVS通流管串联，再和另一个负向低电容导向管并联来实现的，其总电容约为两个低电容导向管的电容之和。为了整合这三个管子到一颗芯片，同时又能避免各个管子之间的相互干扰，传统的低容TVS利用结隔离保护的低容导向管、垂直结构的TVS通流管，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小型化的低容瞬态电压抑制器，包括P型浓掺杂衬底、深槽隔离和介质层，其特征在于，所述P型浓掺杂衬底包括正向低电容导向管区域、负向低电容导向管区域、通流TVS管区域和背面金属层，所述P型浓掺杂衬底上的通流TVS管区域掺杂形成一层N型埋层，所述P型浓掺杂衬底上生长一层N型埋层外延层，所述正向低电容导向管区域包括正向低压导向管，所述正向低压导向管掺杂形成于N型埋层外延层上，所述负向低电容导向管区域包括负向低压导向管。

【技术特征摘要】
1.一种小型化的低容瞬态电压抑制器，包括P型浓掺杂衬底、深槽隔离和介质层，其特征在于，所述P型浓掺杂衬底包括正向低电容导向管区域、负向低电容导向管区域、通流TVS管区域和背面金属层，所述P型浓掺杂衬底上的通流TVS管区域掺杂形成一层N型埋层，所述P型浓掺杂衬底上生长一层N型埋层外延层，所述正向低电容导向管区域包括正向低压导向管，所述正向低压导向管掺杂形成于N型埋层外延层上，所述负向低电容导向管区域包括负向低压导向管。2.根据权利要求1所述的一种小型化的低容瞬态电压抑制器，其特征在于，所述正向低电容导向管与负向低压导向管横向排列，其上为压焊区，用于淀积金属层。3.根据权利要求2所述的一种小型化的低容瞬态电压抑制器，其特征在于，所述金属层材质厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪凯彬，
申请(专利权)人：上海领矽半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31