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本实用新型涉及一种小型化的低容瞬态电压抑制器，通过在P型浓掺杂衬底上掺杂形成的通流TVS管的上部，生长一层埋层外延层，并进行外延层表面掺杂形成正向低电容导向管，使得正向低电容导向管和通流TVS管完全是上下垂直排列的结构。将该负向低电容导向管...
该专利属于上海领矽半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海领矽半导体有限公司授权不得商用。

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