本发明公开了一种低电容TVS用硅外延材料的制备方法，包括如下步骤：预备重掺砷衬底，对石墨基座预包SiN，在1130‑1180℃通入氢气和HCl气体的混合气，基座上预包裹的SiN向硅衬底背面固相转移。在外延生长阶段，先外延生长P型重掺硼缓...

本实用新型公开了一种穿通型低电容瞬态电压抑制器，包括N型浓掺杂衬底、ILD介质层和深槽隔离，N型浓掺杂衬底包括背面金属层、负向低电容导向管区域和NPN穿通型通流TVS管区域，负向低电容导向管区域包括负向低电容导向管，N型浓掺杂衬底上生长...

本发明公开了一种超低残压低容瞬态电压抑制器及其制造方法，首先通过各个器件之间的深槽隔离，以及衬底隔离来完全屏蔽各个器件之间所有可能的寄生管的触发和干扰；再次，把所有三个低容导向管和TVS通流管都按横向结构排列，又在各个器件底部通过高能注...

本实用新型涉及一种小型化的低容瞬态电压抑制器，通过在P型浓掺杂衬底上掺杂形成的通流TVS管的上部，生长一层埋层外延层，并进行外延层表面掺杂形成正向低电容导向管，使得正向低电容导向管和通流TVS管完全是上下垂直排列的结构。将该负向低电容导...

本实用新型涉及一种超低残压低容瞬态电压抑制器，通过各个器件之间的深槽隔离，以及衬底隔离来完全屏蔽各个器件之间所有可能的寄生管的触发和干扰；再次，把所有三个低容导向管和TVS通流管都按横向结构排列，又在各个器件底部通过高能注入防止穿通；第...

本实用新型公开了一种高对称性能双向瞬态电压抑制器，通过调整纵向NPN结构中的上下两部分N型掺杂浓度梯度和结深，尽可能匹配上下两个PN结物理特性，从而获得两端各个性能参数的高度对称和最优。基于该实用新型制作的双向瞬态电压抑制器的两端性能指...

本发明公开了一种高对称性能双向瞬态电压抑制器的制造方法，通过调整纵向NPN结构中的上下两部分N型掺杂浓度梯度和结深，尽可能匹配上下两个PN结物理特性，从而获得两端各个性能参数的高度对称和最优。基于该发明制作的双向瞬态电压抑制器的两端性能...