集成肖特基结的功率器件结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种集成肖特基结的功率器件结构，包括：N型外延层，其具有表面形成氧化层的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽，所述第一沟槽底部形成有肖特基结，所述第二沟槽中有与所述肖特基结相连的肖特基金属层；绝缘材料及栅介质层；互连的多晶硅；P型体区及N型源区；源极金属层以及栅极金属层。本实用新型专利技术采用了全沟槽结构，将栅多晶硅下陷道沟槽中，上面通过氧化膜隔离，并通过另外的沟槽引出到栅电极上，因此无需单独的电极接触光刻工艺，避免了传统的沟槽型功率器件因为电极接触对准偏离而造成的阈值Vt漂移等问题，并且有效减小功率器件的脚距，可实现更高的器件密度。

【技术实现步骤摘要】
集成肖特基结的功率器件结构
本技术属于半导体设计及制造领域，特别是涉及一种集成肖特基结的功率器件结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，功率器件作为一种新型器件，被广泛地应用于磁盘驱动、汽车电子等领域。功率器件需要能够承受较大的电压、电流以及功率负载。而现有MOS晶体管等器件无法满足上述需求，因此，为了满足应用的需要，各种功率器件成为关注的焦点。现有的肖特基二极管一般是贵金属(金、银、铝、铂等)为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的N型半导体中向浓度低的贵金属中扩散。显然，贵金属中没有空穴，也就不存在空穴自金属向N型半导体的扩散运动。随着电子不断从N型半导体扩散到贵金属，N型半导体表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为N型半导体朝向贵金属。但在该电场作用之下，贵金属中的电子也会产生从贵金属向N型半导体的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成肖特基结的功率器件结构，其特征在于，所述功率器件结构包括：N型外延层，所述N型外延层中形成有相互贯通的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽；氧化层，形成于所述第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽表面，所述第一沟槽底部的氧化层被去除，且所述第一沟槽底部的N型外延层中形成有P型掺杂区；金属硅化物，形成于所述第一沟槽底部，以形成肖特基结，所述第二沟槽中填充有与所述肖特基结相连的肖特基金属层，所述第二沟槽中的肖特基金属层作为肖特基结的引出端；绝缘材料，填充于所述第一沟槽及第三沟槽内，所述第一沟槽及第三沟槽内的部分绝缘材料被去除分别形成多个互连的第四沟槽及第五沟槽，所述金属硅化物上保留有部分的绝缘材料；栅介质层...

【技术特征摘要】
1.一种集成肖特基结的功率器件结构，其特征在于，所述功率器件结构包括：N型外延层，所述N型外延层中形成有相互贯通的第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽；氧化层，形成于所述第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽表面，所述第一沟槽底部的氧化层被去除，且所述第一沟槽底部的N型外延层中形成有P型掺杂区；金属硅化物，形成于所述第一沟槽底部，以形成肖特基结，所述第二沟槽中填充有与所述肖特基结相连的肖特基金属层，所述第二沟槽中的肖特基金属层作为肖特基结的引出端；绝缘材料，填充于所述第一沟槽及第三沟槽内，所述第一沟槽及第三沟槽内的部分绝缘材料被去除分别形成多个互连的第四沟槽及第五沟槽，所述金属硅化物上保留有部分的绝缘材料；栅介质层，形成于所述第四沟槽及第五沟槽的侧壁；互连的多晶硅，填充于所述第四沟槽及第五沟槽内，所述第四沟槽的多晶硅表面形成有绝缘层，所述第五沟槽的多晶硅作为栅极引出端；P型体区，形成于所述外延层表层；N型源区，形成于所述P型体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈茜，蒋建，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50