一种低成本自举升压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低成本自举升压电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和电容C1，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q3的源极和电源VCC，MOS管Q1的栅极连接输入端IN、MOS管Q2的栅极、MOS管Q4的栅极、MOS管Q5的栅极、MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极，MOS管Q1的漏极连接电容C1和MOS管Q2的漏极，电容C1的另一端连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和MOS管Q6的源极。本实用新型专利技术低成本自举升压电路结构简单、元器件使用量少，仅使用多个NMOS管和PMOS管组成，结合电容实现了提高输出电压的目的，因此具有体积小、成本低和性能稳定的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种升压电路，具体是一种低成本自举升压电路。
技术介绍
随着汽车普及和太阳能电池技术的发展，要求用电池供电的便携式设备越来越多，市场需要大量的低压直流-直流电源变换器，在有些应用中需要使用比输入电压更高的电压，因此需要使用自举升压电路。自举升压电路就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容将电源电压抬升至高于电源的电平，这样就可以在输出端输出一个与输入信号反相，且高电平高于电源的方波信号。目前市场上现有的自居升压电路大多结构复杂，使用电源芯片控制，成本较高，体积较大。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构简单、使用方便的低成本自举升压电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种低成本自举升压电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和电容C1，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q3的源极和电源VCC，MOS管Q1的栅极连接输入端IN、MOS管Q2的栅极、MOS管Q4的栅极、MOS管Q5的栅极、MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极，MOS管Q1的漏极连接电容C1和MOS管Q2的漏极，电容C1的另一端连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和MOS管Q6的源极，MOS管Q3的栅极连接MOS管Q4的漏极和MOS管Q5的漏极，MOS管Q5的源极接地，MOS管Q7的源极接地，MOS管Q6的漏极连接MOS管Q7的漏极和输出端OUT。作为本技术的优选方案：所述MOS管Q1、MOS管Q3、MOS管Q4和MOS管Q6均为PMOS管。作为本技术的优选方案：所述MOS管Q2、MOS管Q5和MOS管Q7均为NMOS管。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术低成本自举升压电路结构简单、元器件使用量少，仅使用多个NMOS管和PMOS管组成，结合电容实现了提高输出电压的目的，因此具有体积小、成本低和性能稳定的优点。附图说明图1为低成本自举升压电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，一种低成本自举升压电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和电容C1，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q3的源极和电源VCC，MOS管Q1的栅极连接输入端IN、MOS管Q2的栅极、MOS管Q4的栅极、MOS管Q5的栅极、MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极，MOS管Q1的漏极连接电容C1和MOS管Q2的漏极，电容C1的另一端连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和MOS管Q6的源极，MOS管Q3的栅极连接MOS管Q4的漏极和MOS管Q5的漏极，MOS管Q5的源极接地，MOS管Q7的源极接地，MOS管Q6的漏极连接MOS管Q7的漏极和输出端OUT。MOS管Q1、MOS管Q3、MOS管Q4和MOS管Q6均为PMOS管。MOS管Q2、MOS管Q5和MOS管Q7均为NMOS管。本技术的工作原理是：当输入信号IN为高电平时，NMOS管Q2导通，PMOS管Q1截止，电路中的C点电位为低电平。同时Q5导通，Q3的栅极电位为低电平，则Q3导通。这就使得此时A点电位约为VCC，电容C1两端电压约为VCC。由于Q7导通，Q6截止，所以B点的电位为低电平。这段时间为预充电周期。当VIN变为低电平时，NMOS管Q2截止，PMOS管Q1导通，C点电位为高电平，约为VDD。同时Q5、Q7截止，Q4导通。这使得Q3的栅极电位升高，Q3截止。此时电路中的A点电位等于C点电位加上电容C1两端电压，约为2VCC。而且Q6导通，因此B点输出高电平，且高于VCC。这段时间为自举升压周期。电路结构简单、元器件使用量少，仅使用多个NMOS管和PMOS管组成，结合电容实现了提高输出电压的目的，因此具有体积小、成本低和性能稳定的优点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低成本自举升压电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和电容C1，其特征在于，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q3的源极和电源VCC，MOS管Q1的栅极连接输入端IN、MOS管Q2的栅极、MOS管Q4的栅极、MOS管Q5的栅极、MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极，MOS管Q1的漏极连接电容C1和MOS管Q2的漏极，电容C1的另一端连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和MOS管Q6的源极，MOS管Q3的栅极连接MOS管Q4的漏极和MOS管Q5的漏极，MOS管Q5的源极接地，MOS管Q7的源极接地，MOS管Q6的漏极连接MOS管Q7的漏极和输出端OUT。

【技术特征摘要】
1.一种低成本自举升压电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和电容C1，其特
征在于，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q3的源极和电源VCC，MOS管Q1的栅极连接输
入端IN、MOS管Q2的栅极、MOS管Q4的栅极、MOS管Q5的栅极、MOS管Q6的栅极和MOS
管Q7的栅极，MOS管Q1的漏极连接电容C1和MOS管Q2的漏极，电容C1的另一端连接
MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和MOS管Q6的源极，MOS管Q3...

【专利技术属性】
技术研发人员：林汉盛，
申请(专利权)人：深圳市茂隆者科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44