【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种自举电路，具体涉及适合应用于使输入信号的振幅放大的电平移 位电路、存储装置的字线驱动电路的自举电路。
技术介绍
作为构成半导体装置的电路，一般为了降低电力消耗，大多使用采用了 N型MOS晶 体管和P型MOS晶体管的CMOS电路。在输出双值的脉冲信号时，使用高电位(VDD)和低电 位(VSS)来作为电源，能够输出各电平的电位。即，能以导通P型MOS晶体管以用于输出高 电位、导通N型MOS晶体管以用于输出低电位的方式分别构成电路。但是，在制造CMOS半导 体装置时，由于存在成膜、掩模曝光、蚀刻等工序之外，还存在用于制作P型MOS及N型MOS 的多次杂质注入工序，所以制造成本增加。另一方面，只由P型MOS或N型MOS这种单一导电型MOS晶体管构成的半导体装 置，由于能在其制造工序中减少杂质注入等工序数，所以能够降低制造成本。但是，由于导 电特性单一，所以相比CMOS耗电量增力卩、输出裕度下降。例如，只用P型MOS晶体管构成电 路的情况下，低电位的VSS输出时会输出电位升高了与晶体管的阈值电压对应的电压的电 压，另外只用N型MOS晶体管构成电路的情况下...
【技术保护点】
一种自举电路，其特征在于，包括：第一晶体管，连接第一电源和输出端子；和第二晶体管，与所述第一晶体管为相同导电类型，向所述第一晶体管的栅极端子施加第一输入信号，将对所述第一输入信号进行电平反转及延迟并进一步进行直流偏置而得到的第二输入信号输入给所述第二晶体管的栅极端子。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野中义弘，
申请(专利权)人：NEC液晶技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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