自举电路制造技术

此处公开的是被配置为采用相同的导电类型的第一、第二和第三晶体管的自举电路，其中：当第三晶体管进入截止状态时，将第一晶体管的栅极与第三晶体管的源极和漏极区中的特定一个相互连接的节点部分进入浮空状态；第二晶体管的栅极连接至传送两个时钟信号中的另外一个的时钟供给线；以及在所述节点部分与第一电压供给线之间提供电压变化抑制电容器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及应用于移位寄存器电路和输出缓冲器电路中的自举电路。
技术介绍
移位寄存器电路广泛地用作显示器装置和半导体存储器装置中的扫描电路或矩阵阵列驱动电路。移位寄存器电路的输出级通常使用推挽输出电路。然而，如果仅通过利用相同导电类型的晶体管配置推挽输出电路，那么不能充分保证推挽输出电路的输出电压。例如，如果仅通过每一个均被创建为n沟道型晶体管的晶体管来配置推挽输出电路，则随着推挽输出电路的输出电压上升，提供在推挽输出电路高电平端上的晶体管的栅极和源极区之间的电势差Vgs下降。对于Vgs〈Vth(其中，参考符号Vth表不晶体管的阈值电压)，晶体管处于截止状态。因此，推挽输出电路仅产生(Vgs-Vth)范围的输出电压。为了解决该问题，已经提出了利用自举操作的输出电路。作为利用自举操作的移位寄存器电路，用作本专利说明书中的专利文档I的日本专利特许号Hei 10-112645公开了具有图25的电路图中所示的典型配置的晶体管电路。如图25的电路图中所示，该典型配置每级基本采用了三个晶体管。在图25的电路图中所示的典型配置的情况下，在该配置的每级采用了典型n沟道型的三个晶体管Tr1, Tr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：甚田诚一郎，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：