TFT基板制作方法技术

本发明专利技术提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。本发明专利技术能够提高显示面板的生产效率。

Making method of TFT substrate

The invention provides a method for manufacturing TFT substrate, comprises the following steps: providing a substrate; a photoresist layer hydrogenated film and patterned on the substrate by forming a protective layer,; the hydrogenated films are dehydrogenation, formation of dehydrogenation layer; etching the protective layer and the dehydrogenation of the film. Dehydrogenation film edge relative to the edge of the photoresist layer and the protective layer of the necking in a groove formed in the photoresist layer and the protective layer on the substrate; depositing functional films, the functional film layer comprises the first photoresist layer and function layer at the second function film on the surface of the substrate, the first film layer and the protective layer is formed between the opening of the groove; the photoresist layer is arranged on the stripping liquid, opening the stripping liquid through the groove The grooves are filled and reacted with the photoresist to separate the photoresist from the protective layer. The invention can improve the production efficiency of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
TFT基板制作方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板的制作方法。
技术介绍
在制作薄膜晶体管阵列基板(在本专利技术中称为TFT基板)的过程中，每一层结构的形成均需要通过一道光刻制程。一般而言，整个TFT基板的制程需要五道光罩(5mask)。然而，过多的光罩次数会增加制程成本，同时也会造成工序流程过长和良品率问题的累积，使生产效率大大降低。为了缩减光罩数量，可以借助剥离(Lift-off)工艺将铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO层)和保护层(PV层)通过一道光罩同时形成，从而使得光罩总数减小至三道(3mask)。但是，在用剥离液去除光阻层的过程中，由于在光阻层上覆盖了一层薄膜，因此剥离液无法直接接触到光阻层，从而对去除光阻层及形成图案造成阻碍，进而阻碍了光刻制程，造成显示面板的生产效率降低。
技术实现思路
本专利技术提供了一种TFT基板制作方法，能够提高显示面板的生产效率。本专利技术提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层，所述氢化膜层为经过氢化处理的膜层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层，所述氢化膜层为经过氢化处理的膜层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层，所述氢化膜层为经过氢化处理的膜层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。2.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，所述氢化膜层为氢化处理过的非晶硅层或氮硅层。3.如权利要求2所述的TFT基板制作方法，其特征在于，对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层的步骤中，所述脱氢膜层呈蜂窝结构。4.如权利要求3所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层的步骤中，对所述保护层及所述脱氢膜层进行干刻处理。5.如权利要求4所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在蚀刻所述保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：江志雄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44