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本发明提供了一种TFT基板制作方法,包括以下的步骤:提供基板;在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层;对所述氢化膜层进行脱氢处理,形成脱氢膜层;蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层,所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层...该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种TFT基板制作方法,包括以下的步骤:提供基板;在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层;对所述氢化膜层进行脱氢处理,形成脱氢膜层;蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层,所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层...