连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法。
技术介绍
在传统的CMOS工艺中，形成铜互连的大马士革工艺要求对纵深比高的沟槽或通孔进行填充，填充的好坏直接影响了互连线的性能。在铜的淀积过程中，因为在角落处和连接通孔底部的淀积速率较快，填充过程中容易在沟槽或通孔的内部形成空洞，导致空洞附近局部的电阻升高，电流密度加剧，使局部的抗电迁移能力大大降低，易产生电迁移失效，成为互连线失效开路的地方。针对连接通孔纵深比高，不易填充均匀、容易形成空洞以及台阶覆盖性差，易产生缺陷。因此，针对连接通孔纵深比高，不易填充均匀、容易形成空洞以及台阶覆盖性差，易产生缺陷的问题，工艺生产过程中一直对连接通孔的电迁移可靠性进行监控。通过一定时间的加速寿命测试，得出连接通孔的电迁移效应寿命时间。在半导体版图中，有源区、多晶硅与金属层之间的连接称为连接通孔，而不同金属层之间的连接称为连接通孔。传统的测试连接通孔的电迁移效应寿命时间主要有两种，一是利用高温箱和较大的电流密度，通过一定时间的加速寿命测试，基于...
【技术保护点】
一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置，其特征在于，包括第一温度检测模块、第一处理器以及用于与第一接触层和/或所述第二接触层压合的加热板；所述加热板用于接入工作电流，加热所述第一接触层和/或所述第二接触层；其中，所述第一接触层和所述第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层；所述第一温度检测模块用于检测加热板的温度值；所述第一处理器连接所述第一温度检测模块，用于根据加热板的温度值获得连接通孔的电迁移寿命时间。
【技术特征摘要】
1.一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置，其特征在于，包括第一温度检测模块、第一处理器以及用于与第一接触层和/或所述第二接触层压合的加热板；所述加热板用于接入工作电流，加热所述第一接触层和/或所述第二接触层；其中，所述第一接触层和所述第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层；所述第一温度检测模块用于检测加热板的温度值；所述第一处理器连接所述第一温度检测模块，用于根据加热板的温度值获得连接通孔的电迁移寿命时间。2.根据权利要求1所述的连接通孔的电迁移寿命时间测试装置，其特征在于，所述加热板为多晶加热板。3.根据权利要求1所述的连接通孔的电迁移寿命时间测试装置，其特征在于，所述第一温度检测模块包括功率测量模块和第一温度计算模块；所述功率测量模块用于测量所述加热板所消耗的功率；所述第一温度计算模块连接所述功率测量模块，用于根据所述加热板所消耗的功率计算加热板的温度值；所述第一温度计算模块连接所述第一处理器。4.一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置，其特征在于，包括第二温度检测模块、第二处理器和用于与第一接触层和/或所述第二接触层压合的加热板；所述加热板用于接入工作电流，加热所述第一接触层和/或所述第二接触层；其中，所述第一接触层和所述第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层；所述第二温度检测模块用于分别检测所述第一接触层和所述第二接触层的温度值；所述第二处理器连接所述第二温度检测模块，用于根据所述第一接触层和所述第二接触层的温度值获得连接通孔的电迁移寿命时间。5.根据权利要求4所述的连接通孔的电迁移寿命时间测试装置，其特征在于，所述第二温度检测模块包括第一电阻测量模块、第二电阻测量模块、第二温度计算模块、设置于所述第一接触层的第一温度检测金属线以及设置于所述第二接触层的第二温度检测金属线；所述第一温度检测金属线和所述第二温度检测金属线分别与外部电源形成回路；所述第一电阻测量模块与所述第一温度检测金属线并联连接，用于检测第一温度检测金属线的电阻；所述第二电阻测量模块与所述第二温度检测金属线并联连接，用于检测第二温度检测金属线的电阻；所述第二温度计算模块分别连接所述第一电阻测量模块和所述第二电阻测量模块，用于根据所述第一温度检测金属线的电阻计算第一接触层的温度值，根据所述第二温度检测金属线的电阻计算第二接触层的温度值；所述第二温度计算模块连接所述第二处理器。6.一种连接通...
【专利技术属性】
技术研发人员：章晓文，恩云飞，何玉娟，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所，
类型：发明
国别省市：广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。