化学气相沉积装置及其用途制造方法及图纸
Chemical vapor deposition equipment and its application
【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积装置及其用途专利
本专利技术涉及化学气相沉积装置，其包括卧式管状室并设置有底侧和顶侧及轴向方向，该管状室配置用于沿轴向方向布置支承多个基板的基座，该管状室设置有用于使在气相中的化合物进入室内的至少一个进口并设置有入口，基座可通过该入口进入室内和从室移除，所述轴向方向实质上平行于基座进入室内和从室移除所沿着的方向。化学气相沉积装置还包括布置在室外侧并被配置用于通过辐射来发射热的加热工具以及用于控制室内部的状态(包括温度和组成)的控制器。本专利技术还涉及化学气相沉积装置和用于支承多个基板的基座的系统。本专利技术还涉及这种化学气相沉积装置和这种系统的使用。专利技术背景化学气相沉积装置通常用在诸如集成电路和太阳能电池的半导体器件的制造中。在这里，在气相中的化合物被引入室中，并通过化学反应在基板上形成薄的固体膜。前体化合物的化学反应可能出现在气相中和基板上。可通过热(热CVD)、较高频率辐射(诸如UV(光辅助CVD)或等离子体(等离子体增强CVD))来促进或引发反应。化学气相沉积中的要求之一在于基板上的温度实质上是均匀的。在基板之间的温度变化可能导致沉积中的...
【技术保护点】
一种化学气相沉积装置，包括：管状室，所述管状室为卧式的并设置有底侧和顶侧及轴向方向，所述管状室被配置用于沿所述轴向方向布置支承多个基板的基座，所述管状室设置有用于使在气相中的化合物进入所述管状室的至少一个进口并设置有入口，所述基座能够通过所述入口进入所述管状室和从管状室移除，所述轴向方向实质上平行于基座进入所述室内和被从所述室移除所沿着的方向；加热工具，所述加热工具布置在所述管状室的外侧并且被配置用于借助于辐射来发射热，所述加热工具被配置用于根据所述管状室内的角度变化剖面来提供辐射，所述角度加热剖面包括第一角区和第二角区，并且其中在所述第一角区中的热通量高于在所述第二角区中...
【技术特征摘要】
2016.09.30 NL 20175581.一种化学气相沉积装置，包括：管状室，所述管状室为卧式的并设置有底侧和顶侧及轴向方向，所述管状室被配置用于沿所述轴向方向布置支承多个基板的基座，所述管状室设置有用于使在气相中的化合物进入所述管状室的至少一个进口并设置有入口，所述基座能够通过所述入口进入所述管状室和从管状室移除，所述轴向方向实质上平行于基座进入所述室内和被从所述室移除所沿着的方向；加热工具，所述加热工具布置在所述管状室的外侧并且被配置用于借助于辐射来发射热，所述加热工具被配置用于根据所述管状室内的角度变化剖面来提供辐射，所述角度加热剖面包括第一角区和第二角区，并且其中在所述第一角区中的热通量高于在所述第二角区中的热通量，并且其中所述第一角区包括来自所述室的顶侧和/或底侧的区域；以及控制器，所述控制器用于控制所述室内的状态，包括温度和组成，其中，所述加热工具包括第一加热丝，所述第一加热丝的至少一部分布置在所述室的所述轴向方向上，所述第一加热丝设置有曲折形状，使得所述第一加热丝包括沿所述轴向方向延伸的多个部分，所述部分实质上彼此平行地布置，其中，在所述第一加热丝的第一相邻部分和第二相邻部分之间的相互距离取决于所述第一加热丝的所述第一相邻部分和第二相邻部分的角位置，使得所述相互距离在所述第一角区中比在所述角区中小。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其中，所述第一角区被配置用于在实质上平行于所述基座的导电板的方向上提供辐射。3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其中，所述第一加热丝对于所述管状室实质上周向地延伸。4.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其中，存在第二加热丝，所述第二加热丝包括曲折形状并且相对于所述第一加热丝沿所述轴向方向移位。5.根据权利要求4所述的化学气相沉积装置，其中，沿着所述轴向方向彼此相邻的存在的加...
【专利技术属性】
技术研发人员：马尔科姆·约翰·哈里斯，彼得·罗埃尔弗·维尼玛，马滕·罗纳德·雷内斯，约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯，
申请(专利权)人：泰姆普雷斯艾普公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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