一种用于浸没式光刻的超纯水脱气装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于浸没式光刻的超纯水脱气装置。本发明专利技术包括有第一真空泵、第一真空压力变送器、第一气液分离罐、以及第一脱气膜的前级脱气系统；有氢气接入源、第四电磁阀、气体压力控制器、第三电磁阀、第一电磁阀以及催化除氧器的催化除氧系统；有第二脱气膜、第二真空压力变送器、第二真空泵第二气液分离罐、氮气接入源、第三电磁阀、气体流量控制器的后级脱气系统。本发明专利技术能够有效脱除超纯水中的溶解气体，并将超纯水中的溶氧值控制在非常低的水平，同时保证超纯水水质不受影响。且具有操作简单、建造以运行成本低、占地空间小等优点。

An ultra pure water degassing device for immersion lithography

The invention relates to a ultra pure water degassing device for immersion lithography. Before the degassing system of the present invention comprises the first vacuum pump, the first vacuum pressure transmitter, the first gas-liquid separation tank, and a first degassing membrane; hydrogen source, fourth access solenoid valve, gas pressure controller, third solenoid valves, solenoid valve and the first catalytic deaerator for catalytic deoxidation system; second, second vacuum degassing membrane pressure transmitter, second vacuum pump second gas-liquid separation tank, nitrogen source, access third solenoid valve, gas flow controller after degassing system. The invention can effectively remove the dissolved gas in ultra pure water, control the dissolved oxygen value in ultra pure water at a very low level, and ensure that the quality of ultra pure water is not affected. It has the advantages of simple operation, low construction cost, small space and so on.

【技术实现步骤摘要】
一种用于浸没式光刻的超纯水脱气装置
本专利技术属于超纯水脱气装置
，涉及一种用于浸没式光刻的超纯水脱气装置。
技术介绍
在193nmArF浸没式光刻系统中，一般采用在投影系统最后一个物镜到硅片的间隙中填充一层超纯水作为浸没液体，以此提高光刻分辨率。由于这层超纯水作为光路的一部分，并且直接和硅片接触，因此对该超纯水的水质提出了很高的要求。为了防止超纯水中有气泡产生，应该对该超纯水做脱气处理。此外，为了防止硅片表面被超纯水中的溶氧所氧化，应尽可能降低超纯水中的溶氧含量。大型半导体厂中，一般采用数量庞大的脱气膜通过串联和并联的方法，来脱除水中的氧气以及其他的一些溶解气体。该方法中，一般采用真空辅助吹扫氮气的方式去除水中的溶解气体，能够获得较低的溶氧含量，通常可达到10ppb以下。但其不足在于设备占地面积较大，对管路密封要求严格，建造成本高昂等。用作浸没液的超纯水往往使用精制的纯化设备通过对半导体厂务超纯水进行进一步纯化得到，为了保证水质的稳定性，纯化设备一般比较靠近光刻机。受厂务空间限制，整个纯化设备占地面积也非常有限，显然采用数量庞大的脱气模组对超纯水进行脱气处理是不现实的。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于浸没式光刻的超纯水脱气装置，包括有第一真空泵、第一真空压力变送器、第一气液分离罐、以及第一脱气膜的前级脱气系统；有氢气接入源、第四电磁阀、气体压力控制器、第三电磁阀、第一电磁阀以及催化除氧器的催化除氧系统；有第二脱气膜、第二真空压力变送器、第二真空泵第二气液分离罐、氮气接入源、第三电磁阀、气体流量控制器的后级脱气系统；其特征在于：所述的前级脱气系统中第一脱气膜下端入水口作为第一超纯水入口，第一脱气膜上端出水口为第一超纯水出口与催化除氧系统中催化除氧器的第二超纯水入口连接；催化除氧器的出水口接后级脱气系统中第二脱气膜的入水口，第二脱气膜的出水口作为第二超纯水出口输出经脱气后的超纯水；所述...

【技术特征摘要】
1.一种用于浸没式光刻的超纯水脱气装置，包括有第一真空泵、第一真空压力变送器、第一气液分离罐、以及第一脱气膜的前级脱气系统；有氢气接入源、第四电磁阀、气体压力控制器、第三电磁阀、第一电磁阀以及催化除氧器的催化除氧系统；有第二脱气膜、第二真空压力变送器、第二真空泵第二气液分离罐、氮气接入源、第三电磁阀、气体流量控制器的后级脱气系统；其特征在于：所述的前级脱气系统中第一脱气膜下端入水口作为第一超纯水入口，第一脱气膜上端出水口为第一超纯水出口与催化除氧系统中催化除氧器的第二超纯水入口连接；催化除氧器的出水口接后级脱气系统中第二脱气膜的入水口，第二脱气膜的出水口作为第二超纯水出口输出经脱气后的超纯水；所述的第一脱气膜气相侧的上下两个出气口连成一路后通过第一气液分离罐与第二真空泵连接，第一真空泵与第一气液分离罐出气口之间设置有第一真空压力变送器；第二脱气膜气相侧的上出气口通过第二气液分离罐与第一真空泵连接，第二脱气膜气相侧的上出气口与第二气液分离罐的入气口之间设...

【专利技术属性】
技术研发人员：付新，凌杰，金达，徐宁，
申请(专利权)人：浙江启尔机电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33