一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，包括：一硅片，所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方，其特征在于，所述硅片包括多个晶圆，所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶；所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆，所述中心扫描路径区域和所述外围扫描路径区域均为螺旋扫描路径结构。本实用新型专利技术将待曝光的硅片中的晶圆分为两个区域，并且该两个区域为螺旋扫描工作路径结构，以确保硅片的绝大部分位置免受particles影响，以达到曝光质量从而提升产品良率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子领域，尤其涉及一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构。
技术介绍
随着半导体的快速发展，55nm制程及以下工艺，业界均匀采用浸没式(i_ersion)光刻机。由于i_ersion光刻机在曝光时会用纯水以提高分辨率,而使用纯水曝光时会引入更多的粒子(particles),其来源主要在娃片边缘时娃片背面的particles。这是由于曝光时的particles来源主要是曝光在硅片边缘时引入的，曝光时引入的particle主要是曝光到娃片的边缘(wafer edge)时，由于纯水会扩散到wafer背面；由于通常wafer背面是particle的主要来源，因此该particle会被纯水带到wafer正面而影响曝光质量。如图1中所示，图1中包括一硅片1，该硅片包括多个晶圆(wafer) 2，传统扫描路径结构是从wafer顶部以“S”型曝光，但该扫描路径的工作结构由于过早曝光到waferedge位子,从而引入particle,这样会引起再接下来的曝光过程中一直受到particle的影响从而使得第一排一下的dies均受到纯水中particles的影响,使得wafer因曝光问题引起产品良率低下。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本技术的目的是提供一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构。该硅片中的晶圆分为两个区域，并且该两个区域为螺旋扫描工作路径结构，以确保硅片的绝大部分位置免受particles影响，以达到曝光质量从而提升产品良率。本技术的目的是通过下述技术方案实现的:—种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，包括:娃片，所述娃片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方，其特征在于，所述硅片包括多个晶圆，所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶；所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆，所述中心扫描路径区域和所述外围扫描路径区域均为螺旋扫描路径结构。上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，其中，在所述硅片和所述曝光镜头之间充满了液体。上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，其中，所述液体为纯水。上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，其中，在所述光刻胶的表面还包括顶部涂层。上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，其中，所述中心扫描路径区域为逆时针螺旋扫描路径结构，所述外围扫描路径区域为顺时针螺旋扫描路径结构。与已有技术相比，本技术的有益效果在于:将硅片上的晶圆划分成两个扫描路径区域，且将该两个扫描路径区域设定为螺旋扫描工作结构，从而可以实现对硅片上的晶圆依次进行曝光，通过该方式，避免了由于过早曝光到wafer edge位子,从而引入particles,使得其它晶圆受到污染进而影响到以后的曝光过程。附图说明图1是现有技术中的提供浸没式光刻机扫描路径工作结构的示意图。图2是本技术的一个实施例中的一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构的示意图。具体实施方式下面结合原理图和具体操作实施例对本技术作进一步说明。参看图2中所示，本技术的一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构具体包括:硅片I，所述硅片包括多个晶圆2，在硅片I的衬底表面包括底部抗反射层(图中未标示)、光刻胶(图中未标示);为了防止浸没式光刻胶的挥发物对光刻机镜头损伤，还可以在所述光刻胶的表面还包括一层顶部涂层(图中未标示)，该顶部涂层是可以完全溶解在显影液体中的疏水涂层。顶部涂层还可以是一层顶部抗反射涂层(TARC)，其被涂布在光刻胶的表面的，用于减少光的反射的物质。将硅片I置于光刻机的晶圆扫描工作台上，并利用Chuck (卡盘)，对硅片I进行真空吸附，在曝光过程中，将娃片I置于光刻机的曝光镜头下方，在娃片I和曝光镜头之间充满了液体，最佳地，该液体是纯水，纯水可以减小对光刻胶稳定性影响的同时，增大镜头的数值孔径，从而很好地实现光刻效果。在曝光前，对光刻机的扫描路径进行划分，将硅片I上的晶圆划分为中心扫描路径区域21和外围扫描路径区域22，在本技术的一个实施例中，将该中心扫描路径区域21中的中心位置定义为扫描的起始位置，以螺旋方式进行扫描，并且外围扫描路径区域22也以螺旋方式进行扫描直至到硅片的边缘。如图2中所示，在中心扫描路径区域21中的工作结构是以所述硅片的中心位置为起始位置，在中心扫描以逆时针的螺旋扩张的方式进行扫描，在外围扫描路径区域22中则以顺时针的螺旋工作路径对位于外围扫描路径区域22中的晶圆进行曝光。通过以上实施方式，避免了由于过早曝光到wafer edge位子，从而引入particles，使得其它晶圆受到污染进而影响到以后的曝光过程。以上对本技术的具体实施例进行了详细描述，但本技术并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何等同修改和替代也都在本技术的范畴之中。因此，在不脱离本技术的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本技术的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，包括：硅片，所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方，其特征在于，所述硅片包括多个晶圆，所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶；所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆，所述中心扫描路径区域和所述外围扫描路径区域均为螺旋扫描路径结构。

【技术特征摘要】
2012.05.21 CN 201210157816.61.一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，包括:娃片，所述娃片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方，其特征在于，所述硅片包括多个晶圆，所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶；所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆，所述中心扫描路径区域和所述外围扫描路径区域均为螺旋扫描路径结构。2.如权利要求1所述的提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡恩静，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：