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本实用新型公开了一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，包括：一硅片，所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方，其特征在于，所述硅片包括多个晶圆，所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶；所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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