一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极和栅极侧墙薄膜，并在所述栅极和栅极侧墙薄膜两侧的半导体衬底中分别形成源极区和漏极区；在所述栅极和栅极侧墙薄膜以及所述衬底上形成硅化物绝缘膜层；刻蚀所述硅化物绝缘膜层以只在所述栅极侧墙薄膜两边外侧形成赝侧墙薄膜；在所述衬底上沉积金属层；实施第一次快速热退火并选择性移除未反应的所述金属层；实施第二次快速热退火；移除所述赝侧墙薄膜。本发明专利技术还提供了由上述制造方法制备的一种半导体器件。本发明专利技术的半导体器件及其制造方法，由于赝侧墙薄膜的存在，其能够有效减小金属硅化物向沟道方向的侧向扩散距离，从而避免金属硅化物扩散至所述栅极侧墙薄膜的下面或者进入沟道区域，进而减小栅极漏电流，提高器件的性能，并且该方法的工艺简单、成本低。

A semiconductor device and its manufacturing method

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises the following steps: providing a semiconductor substrate; forming a thin film gate and the gate side wall on the semiconductor substrate, the semiconductor substrate and thin film on both sides of the gate and the gate side wall are respectively formed in the source region and the drain region; silicide formed on the insulating film the gate and the gate side wall film and the substrate; etching the silicide insulation film on the gate to form a thin film on both sides of the side wall film outside wall pseudo side; depositing a metal layer on the substrate; the implementation of the first rapid thermal annealing and the metal layer is selectively removed without reaction; the implementation of the second rapid thermal annealing; thin wall to remove the pseudo side. The invention also provides a semiconductor device prepared by the manufacturing method mentioned above. The invention discloses a semiconductor device and its manufacturing method, the pseudo side wall film, which can effectively reduce the lateral metal silicide to channel the diffusion distance, so as to avoid the metal silicide diffusion to the grid side wall film or into the channel region, and reduce the gate leakage current and improve the device the performance of the method, and the process is simple, low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体
中，在减小的技术节点下，半导体器件的临界尺寸将缩小至40nm以下。由于存在寄生电容和寄生电阻，金属硅化物接触上层互连对于整个半导体器件的性能具有重大影响。其中，由于具有较低的薄层电阻、独立的线宽以及较低的硅消耗等，镍化硅成为广为认可的金属硅化物。虽然将镍化硅加入到高规格器件的源区和漏区会使器件具有重大的性能优势，但快速热退火工艺常常使得镍化硅侧向扩散并侵蚀到栅极侧墙薄膜下面的区域，甚至到栅极介质层下面的区域，这会导致较大的栅极漏电流，降低器件的可靠性，还会缩短器件的源区和漏区的PN结。为此，有必要提出一种新的半导体器件及其制造方法。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极和栅极侧墙薄膜，并在所述栅极和栅极侧墙薄膜两侧的半导体衬底中分别形成源极区和漏极区；在所述栅极和栅极侧墙薄膜以及所述衬底上形成硅化物绝缘膜层；刻蚀所述硅化物绝缘膜层以只在所述栅极侧墙薄膜两边外侧形成赝侧墙薄膜；在所述衬底上沉积金属层；实施第一次快速热退火并选择性移除未反应的所述金属层；实施第二次快速热退火；移除所述赝侧墙薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极和栅极侧墙薄膜，并在所述栅极和栅极侧墙薄膜两侧的半导体衬底中分别形成源极区和漏极区；在所述栅极和栅极侧墙薄膜以及所述衬底上形成硅化物绝缘膜层；刻蚀所述硅化物绝缘膜层以只在所述栅极侧墙薄膜两边外侧形成赝侧墙薄膜；在所述衬底上沉积金属层；实施第一次快速热退火并选择性移除未反应的所述金属层；实施第二次快速热退火；移除所述赝侧墙薄膜。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述栅极和栅极侧墙薄膜以及所述衬底上形成硅化物绝缘膜层的步骤之后还包括：在所述硅化物绝缘膜层上沉积薄氧化膜层的步骤，所述薄氧化膜层的厚度为10-50埃。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中所述衬底是硅衬底、锗硅衬底或绝缘体上硅。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中所述栅极侧墙薄膜的材料为氮化硅或氧化物/氮化硅堆叠膜。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中所述硅化物绝缘膜层的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚陆军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31