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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极和栅极侧墙薄膜，并在所述栅极和栅极侧墙薄膜两侧的半导体衬底中分别形成源极区和漏极区；在所述栅极和栅极侧墙薄膜以及所述衬底上形成硅化物绝缘膜层；刻蚀...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。