用于确定半导体电路的故障的导轨组件、设备和方法技术

本发明专利技术涉及一种用于确定半导体电路故障的导轨(117)组件(100)，其中，所述导轨(117)优选地布置在半导体电路的层上，其特征在于，所述组件(100)包括多个区段(112,113,114,115,116)，其中，所述区段(112,113,114,115,116)布置为串联，其中，每个区段(112,113,114,115,116)具有一定数量的导轨(117)其中，所述导轨(117)的数量在各个区段(112,113,114,115,116)中是不同的，其中，每个区段(112,113,114,115,116)具有起始区域和末端区域，其中，可检测对应区段(112,113,114,115,116)的起始区域和末端区域之间的电压差值，并且在故障情况下各个所述区段(112,113,114,115,116)的电压差值是不同的。

Guideway components, equipment and methods for determining failure of semiconductor circuits

The invention relates to a guide for determining semiconductor circuit fault component (117) (100), wherein the guide rail (117) is preferably arranged in the semiconductor layer, which is characterized in that the assembly (100) includes a plurality of segments (112113114115116), among them, the section (112113114115116) the layout for the series, in which each section (112113114115116) has a certain number of guide (117) wherein the guide rail (117) in the number of segments (112113114115116) is different, among them, each section (112113114115116) has the starting area and terminal region, which can detect the corresponding segment (112113114115116) voltage the difference between the starting area and the terminal region, and each of the sections under fault conditions (112113114115116) the voltage difference is different.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定半导体电路的故障的导轨组件、设备和方法
本专利技术涉及一种用于确定半导体电路的故障的导轨组件、设备和方法。
技术介绍
集成电路包含多个通过复杂金属化部连接的高度集成的电路元件，例如晶体管、电阻或电容。在集成电路运行期间，电流流经该金属化部，其中，由于小的导线横截面或者在金属层的连接部位内可能出现非常高的电流密度，典型地在直至1MA/cm2的范围内。在此发生故障机理，即所谓的电子迁移。电子与导轨的原子相撞，其中，进行脉冲传递，所述脉冲传递导致金属原子沿电子流方向的移位或者扩散。如果在此发生质量流发散，那么在导轨中形成空穴，也就是说在金属化部的确定部位上，与补充提供的金属原子相比，更多的金属原子运动离开，例如在由另一种材料例如钨组成的晶界或过孔上。在此不利的是，导轨会断裂，也就是说导轨被中断并且不再存在ASIC的电学功能。上升的温度同样提高了电子迁移的效应。此外，该效应显著与导轨的自身发热、负荷的信号变化过程(其中，交流电流产生较少的退化)、所使用的金属例如铝、钨、铜、钛等有关并且与它们的机械特性、金属化部的加工参数(包括过程误差和布置例如轨道的长度和宽度)有关。为了确定故障机理本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于确定半导体电路的故障的导轨(117)组件(100)，其中，所述导轨(117)优选地布置在所述半导体电路的层上，其特征在于，●所述组件(100)具有多个区段(112,113,114,115,116)，其中，所述区段(112,113,114,115,116)串联地布置，其中，●每个区段(112,113,114,115,116)具有一定数量的导轨(117)，其中，●所述导轨(117)的数量在各个区段(112,113,114,115,116)中是不同的，其中，●每个区段(112,113,114,115,116)具有起始区域和末端区域，其中，能检测对应的所述区段(112,113,114,115,11...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.11 DE 102015107301.31.用于确定半导体电路的故障的导轨(117)组件(100)，其中，所述导轨(117)优选地布置在所述半导体电路的层上，其特征在于，●所述组件(100)具有多个区段(112,113,114,115,116)，其中，所述区段(112,113,114,115,116)串联地布置，其中，●每个区段(112,113,114,115,116)具有一定数量的导轨(117)，其中，●所述导轨(117)的数量在各个区段(112,113,114,115,116)中是不同的，其中，●每个区段(112,113,114,115,116)具有起始区域和末端区域，其中，能检测对应的所述区段(112,113,114,115,116)的所述起始区域和所述末端区域之间的电压差值，并且在故障情况下各个所述区段(112,113,114,115,116)的电压差值是不同的。2.根据权利要求1所述的导轨(117)组件(100)，其特征在于，每个区段(112,113,114,115,116)的所述导轨(117)是相同长的，具有相同的宽度并且相互并联地布置。3.根据权利要求1或2所述的导轨(117)组件(100)，其特征在于，所述导轨(117)的宽度至少在相互邻接的区段(112,113,114,115,116)中是不同的。4.根据前述权利要求中任一项所述的导轨(117)组件(100)，其特征在于，所述组件(100)的最窄导轨(117)具有由最宽导轨(117)和所述区段(112,113,114,115,116)的数量的商得出的宽度。5.根据前述权利要求中任一项所述的导轨(117)...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·迪获，L·藤，M·奥斯特，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE