应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造及其划片方法技术

本发明专利技术涉及一种应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造及其划片方法，应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造包括盖板圆片、衬底圆片、键合环，衬底圆片上可长有各种性能的MEMS器件及其引出线，封装结构的盖板圆片和衬底圆片利用键合环通过键合工艺结合在一起，使用切割机对盖板圆片进行不切穿切割，然后使用腐蚀液腐蚀掉未切穿部分使传输线焊盘漏出。由此，结合切割工艺及湿法腐蚀工艺，实现了应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造引线焊盘的引出，同时避免了普通切割过程中碎屑飞溅致使崩刀的情况，大大提高了圆片级到独立芯片的生产效率及产品成品率。

Wet corrosion encapsulation structure and slice method applied to radio frequency MEMS

【技术实现步骤摘要】
应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造及其划片方法
本专利技术涉及一种圆片级封装结构及其划片方法，尤其涉及一种应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造及其划片方法。
技术介绍
圆片级封装(WLP)是在整片晶圆上完成全部或者大部分的封装、测试工序，然后进行切片分割。其是一种先进的封装技术，被广泛应于MEMS器件领域。在MEMS制造中，圆片级封装技术成为微加工中重要的工艺之一，它是微系统封装技术中重要的组成部分。圆片级封装中导线互连通常有两种方法，即纵向通孔型(TSV技术)和横向埋线型两种。TSV技术实现的垂直方式的导线互连技术虽然能大大提高引线的密度，但TSV技术的成本较高，对于引线密度要求不高的MEMS器件来说并没有太大优势，同时也造成了衬底材料较大的应力。横向引线互连的结构简单，成本相对较低，非常适用于引线数量少的MEMS器件的封装。但是，横向引线互连结构需要将盖板圆片非器件区域切除以漏出引线焊盘，盖板圆片与下方的衬底圆片一般间距很小，在几十微米范围，以常规的方法进行切割，往往会遇到两个问题：1.由于切割机Z轴运行精度、切割前贴膜时蓝膜厚误差以及贴膜过程中接触面不可避免的微气泡影响，切割本文档来自技高网...

【技术保护点】
应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造，包括有衬底圆片，其特征在于：所述衬底圆片上分布有引线焊盘，所述引线焊盘上分布有MEMS器件，所述引线焊盘位于MEMS器件的外围，设置有键合环，所述键合环的顶端分布有括盖板圆片。

【技术特征摘要】
1.应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造，包括有衬底圆片，其特征在于：所述衬底圆片上分布有引线焊盘，所述引线焊盘上分布有MEMS器件，所述引线焊盘位于MEMS器件的外围，设置有键合环，所述键合环的顶端分布有括盖板圆片。2.根据权利要求1所述的应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造，其特征在于：所述盖板圆片的厚度为300至600um，所述衬底圆片的厚度为300至600um，所述键合环的厚度为10至50um。3.根据权利要求2所述的应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造，其特征在于：所述盖板圆片的厚度为500um，所述衬底圆片的厚度为500um，所述键合环的厚度为20um。4.适用于应用于射频MEMS的湿法腐蚀封装构造的划片方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，将键合后的产品衬底圆片面，粘贴在切割用圆环上的蓝膜上；步骤二，横向切割盖板圆片，设置切割高度，令盖板圆片自上而下留有20至40um不切穿，切割槽边缘距键合环设置有90至110um的距离；步骤三，纵向切割盖板圆片，设置切割高度，令盖板圆片自上而下留有20至40um不切穿，切割槽边缘距键合环设置有90至110um的距离；步骤四，腐蚀硅盖板；步骤五，清洗圆片；步骤六，将整片产品分割为单颗产品。5.根据权利要求4所述的适用于应...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泽文，杨中宝，龚著浩，梅剡粼，
申请(专利权)人：苏州希美微纳系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32