一种发光二极管及其制作方法技术

本申请提供一种发光二极管及其制作方法，本申请提供的发光二极管制作方法，一方面，钝化层位于第二金属电极与透明导电层之间，并采用钝化层上制作过孔，使得第二金属电极与透明导电层之间通过第二金属电极手指下方的钝化层上的过孔进行电性连接，使得电流进行扩展，从而起到现有技术中电流阻挡层的作用，进而可以将电流阻挡层去掉，节省了电流阻挡层的材料成本。另一方面，由于本申请中提供的发光二极管的制作方法，去除了电流阻挡层，能够至少减少一道电流阻挡层的光刻工艺，从而能够降低光刻工艺成本，并简化了工艺过程。

A light emitting diode and its fabrication method

The present invention provides a light emitting diode and its manufacturing method, a light emitting diode manufacturing method is provided, the passivation layer is arranged on the second metal electrode and the transparent conductive layer, and by making holes on the passivation layer, between the second metal electrode and the transparent conductive layer is electrically connected through the hole below the metal passivation layer second the electrode fingers, so that the current expansion, so that the current role of barrier layer in the prior art, then will the current blocking layer is removed, saves the material cost of the current blocking layer. On the other hand, due to the production method of the light-emitting diode provided in the application, the current blocking layer is removed, and at least one lithography process of the current blocking layer can be reduced, thereby reducing the cost of the photolithography process and simplifying the technological process.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制作方法
本专利技术涉及光电子
，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)作为代替白炽灯和荧光灯的新一代环保光源与传统照明光源相比，LED具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，被广泛应用在照明、显示和背光等领域。但是，由于现有的LED芯片仍存在着发光效率低的问题，因此，如何提高LED芯片的发光效率已经成为当今科研领域最重要的课题之一。现有技术中提出了一种采用电流阻挡层来提高LED芯片发光效率的方法。但在LED芯片中增加电流阻挡层，会导致LED芯片制作工艺复杂，且制作成本增加。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种发光二极管及其制作方法，以解决现有技术中增加电流阻挡层后造成LED制作工艺复杂，成本增加的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种发光二极管制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构沿背离所述衬底的方向依次包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层；在所述外延结构上形成整层透明导电层；刻蚀去除部分所述透明导电层，形成第一凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构沿背离所述衬底的方向依次包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层；在所述外延结构上形成整层透明导电层；刻蚀去除部分所述透明导电层，形成第一凹槽；对所述第一凹槽内的所述第二型半导体层、所述发光层和所述第一型半导体层进行刻蚀，暴露出所述第一型半导体层，形成第二凹槽，其中，在所述衬底上的投影中，所述第二凹槽的投影位于所述第一凹槽内部，且所述第二凹槽与待形成第一金属电极和待形成第一金属电极手指的位置对应；形成整面的钝化层；刻蚀所述钝化层形成过孔和开口，所述开口与所述待形成第一金属电极的位置对应，所述过孔沿所述待...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构沿背离所述衬底的方向依次包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层；在所述外延结构上形成整层透明导电层；刻蚀去除部分所述透明导电层，形成第一凹槽；对所述第一凹槽内的所述第二型半导体层、所述发光层和所述第一型半导体层进行刻蚀，暴露出所述第一型半导体层，形成第二凹槽，其中，在所述衬底上的投影中，所述第二凹槽的投影位于所述第一凹槽内部，且所述第二凹槽与待形成第一金属电极和待形成第一金属电极手指的位置对应；形成整面的钝化层；刻蚀所述钝化层形成过孔和开口，所述开口与所述待形成第一金属电极的位置对应，所述过孔沿所述待形成第一金属电极手指以及待形成第二金属电极手指延伸方向分布；形成整面的金属层；通过金属浮离刻蚀所述金属层，形成第一金属电极、第二金属电极、第一金属电极手指以及第二金属电极手指，其中，所述第一金属电极位于所述开口内，且与所述第一型半导体层欧姆接触，所述第一金属电极手指位于所述第二凹槽内，且与所述第一型半导体层通过所述过孔欧姆接触，所述第二金属电极位于所述钝化层上，所述第二金属电极手指通过所述过孔与所述透明导电层欧姆接触。2.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一型半导体层为N型GaN层，所述第二半导体层为P型GaN层。3.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述刻蚀去除部分所述透明导电层，形成第一凹槽；对所述第一凹槽内的所述第二型半导体层、所述发光层和所述第一型半导体层进行刻蚀，暴露出所述第一型半导体层，形成第二凹槽，具体包括：形成第一光刻胶，所述光刻胶具有第一开口，所述第一开口与待形成的所述第二凹槽形状相同；刻蚀所述第一开口处对应的所述透明导电层；控制刻蚀时间，对所述第一光刻胶的图案边缘的所述透明导电层进行过刻蚀工艺，以在所述透明导电层上形成第一凹槽；继续对所述第一凹槽内的所述第二型半导体层、所述发光层和所述第一型半导体层进行刻蚀，暴露出所述第一型半导体层，形成第二凹槽。4.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述钝化层形成过孔和开口，采用的是干法刻蚀或湿法刻蚀。5.根据权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一金属电极的材质与所述第二金属电极的材质相同。6.一种发光二极管制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏振东，周弘毅，李俊贤，吴奇隆，刘英策，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35