一种氮化物发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种氮化物发光二极管及其制备方法，其在P型半导体层的电子阻挡层和P型接触层之间插入一多层结构，多层结构包括复数个含In的厚度20~50埃的子结构层，以降低其能隙，便于空穴迁移，提高电子空穴的复合；同时，设置第二Inx1N层的P型杂质浓度高于第一Inx1N层，使得厚度较薄的子结构层仍可以提供足够浓度的空穴；另外，本发明专利技术采用原子层沉积技术生长子结构层，从而获得厚度较薄，但质量较高的子结构层。

A nitride light-emitting diode and its preparation method

The invention belongs to the field of semiconductors, especially relates to a nitride light-emitting diode and its preparing method, the insertion of a multilayer structure between P type semiconductor layer electron blocking layer and P contact layer, the multilayer structure includes a plurality of sub layer structure with In thickness 20~50 angstroms, to reduce the energy gap, easy hole transfer, improve the composite electron hole; at the same time, the P type impurity concentration set second Inx1N higher than that of the first layer of the Inx1N layer, the thickness of the sub structure thin layer can still provide sufficient concentration of the hole; in addition, the invention adopts layer deposition growth structure layer atoms, so as to obtain the thickness of thin, but higher quality sub layer structure.

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物发光二极管及其制备方法
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种在P型半导体层中插入含In的包括低浓度P型掺杂的第一Inx1N层、Inx2GayN层、高浓度P型掺杂的第二Inx1N层循环层叠形成的多层结构的氮化物发光二极管及其制备方法。
技术介绍
目前，如何提高发光二极管的发光效率已经成为本领域技术人员急需解决的问题。常规的LED中，外延层由N型层、发光层和P型层层叠而成，其中为了获得质量较好的P型层，传统的LED常需生长厚度较大的P型层，以提供较高浓度的空穴，增强ESD等。而较厚的P型层会吸收部分发光层发射的光，导致最终出光效率降低。而如果降低P型层的厚底，例如小于100埃，其生长质量会降低，空穴浓度也会降低，从而导致发光效率降低。因此如何设计P型层的结构，使得其厚度小于100埃，减少对光的吸收，提升发光二极管的外量子效率，又能保证P型层中具有较高的空穴浓度，以保证发光二极管的内量子效率，是目前急需解决的技术问题。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术一方面公开了一种氮化物发光二极管，至少包括衬底，以及依次位于所述衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述P型半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物发光二极管，至少包括衬底，以及依次位于所述衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述P型半导体层包括依次层叠的电子阻挡层和P型接触层，其特征在于：所述电子阻挡层和P型接触层之间还插入一多层结构，所述多层结构包括复数个子结构层，所述子结构层包括P型掺杂的第一Inx1N层、Inx2GayN层和P型掺杂的第二Inx1N层，其中，0＜x1≤1、0<x2≤1、0≤y≤1，所述第一Inx1N层和第二Inx1N层的P型杂质相同，且第二Inx1N层中P型杂质浓度高于第一Inx1N层。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物发光二极管，至少包括衬底，以及依次位于所述衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述P型半导体层包括依次层叠的电子阻挡层和P型接触层，其特征在于：所述电子阻挡层和P型接触层之间还插入一多层结构，所述多层结构包括复数个子结构层，所述子结构层包括P型掺杂的第一Inx1N层、Inx2GayN层和P型掺杂的第二Inx1N层，其中，0＜x1≤1、0&lt;x2≤1、0≤y≤1，所述第一Inx1N层和第二Inx1N层的P型杂质相同，且第二Inx1N层中P型杂质浓度高于第一Inx1N层。2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：第二Inx1N层中P型杂质掺杂浓度是第一Inx1N层的2~4倍。3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述Inx2GayN层为非故意P型杂质掺杂层或者P型杂质掺杂层。4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述子结构层的个数为2~10。5.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述子结构层的厚度为20~50埃。6.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层的总厚度小于等于100埃。7.一种氮化物发光二极管的制备方法，包括如下步骤：S1、提供一衬底；S2、于所述衬底上依次沉积N型半导体层、发光层和电...

【专利技术属性】
技术研发人员：林继宏，林兓兓，蔡吉明，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34