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本发明属于半导体领域，尤其涉及一种氮化物发光二极管及其制备方法，其在P型半导体层的电子阻挡层和P型接触层之间插入一多层结构，多层结构包括复数个含In的厚度20~50埃的子结构层，以降低其能隙，便于空穴迁移，提高电子空穴的复合；同时，设置第二...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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