一种发光二极管及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及制作方法，通过在垂直衬底的第一方向上形成相互交叠的第一通孔以及第二通孔，在无通孔的区域，钝化层起到电流阻挡作用，同时在通孔区域，第二金属电极通过第一通孔以及第二通孔部分接触透明导电层，部分接触第二型半导体层。由于第二金属电极和透明半导体层之间为欧姆接触，第二金属电极和第二型半导体层之间为肖特基接触，因此在电流注入时，大部分电流都会注入透明导电层再注入第二型半导体层，电流不会集中于第二金属电极的正下方区域，进而减少第二金属电极对光的遮挡，提高了发光二极管的发光效率。

A light emitting diode and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及制作方法
本专利技术涉及光电子
，更具体地说，尤其涉及一种发光二极管及制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，发光二极管已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，被广泛应用在照明、显示和背光等领域。但是，现有的LED芯片仍存在着发光效率低的问题，因此，如何提高LED芯片的发光效率已经成为本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种发光二极管及制作方法，提高了发光二极管的发光效率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；刻蚀去除部分第二型半导体层以及部分发光层，直至暴露出所述第一型半导体层；在所述第二型半导体层背离所述衬底的表面上形成透明导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；刻蚀去除部分第二型半导体层以及部分发光层，直至暴露出所述第一型半导体层；在所述第二型半导体层背离所述衬底的表面上形成透明导电层；刻蚀所述透明导电层，形成至少一个贯穿所述透明导电层的第一通孔；在所述透明导电层背离所述衬底的表面以及暴露出的所述第一型半导体层上形成钝化层；刻蚀所述钝化层，在所述第一通孔对应的上方形成至少一个贯穿所述钝化层的第二通孔，且所述第...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；刻蚀去除部分第二型半导体层以及部分发光层，直至暴露出所述第一型半导体层；在所述第二型半导体层背离所述衬底的表面上形成透明导电层；刻蚀所述透明导电层，形成至少一个贯穿所述透明导电层的第一通孔；在所述透明导电层背离所述衬底的表面以及暴露出的所述第一型半导体层上形成钝化层；刻蚀所述钝化层，在所述第一通孔对应的上方形成至少一个贯穿所述钝化层的第二通孔，且所述第二通孔与所述第一通孔在所述第一方向上相互交叠，以及在暴露出的所述第一型半导体层的上方形成贯穿所述钝化层的第三通孔；在所述钝化层背离所述衬底的表面形成第一金属电极以及第二金属电极，其中，所述第一金属电极通过所述第三通孔与所述第一型半导体层接触，所述第二金属电极通过所述第一通孔以及所述第二通孔分别与所述透明导电层以及所述第二型半导体层接触。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述透明导电层形成所述第一通孔，以及刻蚀所述钝化层形成所述第二通孔以及所述第三通孔，采用的是干法刻蚀或湿法刻蚀。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属电极的材料与所述第二金属电极的材料相同。5.一种发光二极管，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述的制作方法制作形成，所述发光二极管包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，所述外延层结构上部分暴露出所述第一型半导体层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；设置在所述第二型半导体层背离所述衬底一侧的透明导电层，所述透明导电层上设置有至少一个贯穿所述透明导电层的第一通孔；设置在所述透明导电层背离所述衬底一侧的以及暴露出的所述第一型半导体层上的钝化层，所述钝化层上设置有至少一个贯穿所述钝化层的第二通孔，且所述第二通孔与所述第一通孔在所述第一方向上相互交叠，以及所述钝化层上设置有贯穿所述钝化层的第三通孔，且所述第三通孔位于暴露出的所述第一型半导体层的上方；设置在所述钝化层背离所述衬底一侧的第一金属电极以及第二金属电极，其中，所述第一金属电极通过所述第三通孔与所述第一型半导体层接触，所述第二金属电极通过所述第一通孔以及所述第二通孔分别与所述透明导电层以及所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：周弘毅，魏振东，李俊贤，李健，张华，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36