用于切换电压的装置及具有其的半导体存储器装置制造方法及图纸

一种电压切换装置包括：多个高电压切换电路，所述多个高电压切换电路能够响应于单个控制信号而操作以及适于基于切换信号的电压电平将切换信号的电压电平泵浦到目标电平；以及公用控制单元，其适于产生单个控制信号。

【技术实现步骤摘要】
用于切换电压的装置及具有其的半导体存储器装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年8月29日向韩国知识产权局提交的第10-2016-0110174号的韩国申请的优先权，该申请通过引用的方式整体并入本文。
各种实施例总体而言可以涉及一种半导体装置，并且更具体地，涉及一种电压切换装置和具有其的半导体存储器装置。
技术介绍
半导体装置可以使用产生自外部电压的内部电压来操作。已经逐渐降低外部电压的电压电平以降低半导体装置的功耗。然而，在半导体装置中大于外部电压的内部电压可能是必要的，因此半导体装置可以包括高电压发生电路。高电压发生电路可以利用增加外部电压以产生所需内部电压的泵浦电路来实现。可以通过一个或多个切换元件将通过泵浦电路产生的内部电压施加给半导体装置中需要该内部电压的元件。当通过切换元件传输内部电压或高电压时，电压可以下降与切换元件的阈值电压相对应的量，因此需要补充电压降。可以通过控制切换元件的操作特性来实现外部电压的进一步降低。
技术实现思路
根据一个实施例，提供一种用于切换存储系统的电压的改进的半导体装置。该装置可以包括：多个高电压切换电路，其能够响应于单个控制信号而操作以及适于基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于切换电压的装置，所述装置包括：多个高电压切换电路，其能够响应于单个控制信号而操作，以及适于基于切换信号的电压电平将所述切换信号的电压电平泵浦到目标电平；以及公用控制单元，其适于产生所述单个控制信号。

【技术特征摘要】
2016.08.29 KR 10-2016-01101741.一种用于切换电压的装置，所述装置包括：多个高电压切换电路，其能够响应于单个控制信号而操作，以及适于基于切换信号的电压电平将所述切换信号的电压电平泵浦到目标电平；以及公用控制单元，其适于产生所述单个控制信号。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制信号是脉冲信号，该脉冲信号被使能直到高电压切换电路开始泵浦所述切换信号的电压电平之后所述切换信号的电压电平达到比所述目标电平小的预定电平为止。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个高电压切换电路中的每个包括：预充电单元，其适于响应于使能信号和预充电信号而预充电所述切换信号的输出节点；以及高电压传输单元，其适于响应于所述控制信号而升高所述切换信号的电压电平。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述控制信号是脉冲信号，该脉冲信号与所述预充电信号同时被使能直到高电压切换电路开始泵浦所述切换信号的电压电平之后所述切换信号的电压电平达到比所述目标电平小的预定电平为止。5.根据权利要求4所述的装置，其中，当所述预充电信号和所述控制信号被使能时，提供所述目标电平。6.根据权利要求4所述的装置，其中，当所述预充电信号和所述控制信号被使能时，提供第一电平作为所述目标电平，以及在所述预充电信号和所述控制信号被禁止之后，提供比所述第一电平高的第二电平作为所述目标电平。7.根据权利要求3所述的装置，其中，所述预充电信号是在预设周期期间被使能的脉冲信号，以及其中，所述控制信号是脉冲信号，该脉冲信号被使能直到高电压切换电路开始泵浦所述切换信号的电压电平之后所述切换信号的电压电平达到比所述目标电平小的预定电平并且所述预充电信号被禁止为止。8.根据权利要求7所述的装置，其中，当所述预充电信号被使能时，提供所述目标电平。9.根据权利要求7所述的装置，其中，当所述预充电信号被使能时，提供第一电平作为所述目标电平，以及在所述控制信号被禁止之后，提供比所述第一电平高的第二电平作为所述目标电平。10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个高电压切换电路中的每个包括三阱高电压NMOS切换元件，所述三阱高电压NMOS切换元件适于响应于使...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在浩，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR