半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体装置。根据实施方式，通过第一转换电路将输入信号转换为与输入信号对应的电流，通过第二转换电路将经转换的电流转换为与经转换的电流对应的电压。晶体管具备：漏极端子及源极端子，供来自定电流源的电流流动；以及栅极端子，经由所述传输路径被施加经第二转换电路转换的电压。而且，通过放大电路，将晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大。

Semiconductor device

The method of implementation of the present invention provides a semiconductor device that can improve the reliability of the action. According to the implementation mode, the input signal is converted to the current corresponding to the input signal through the first conversion circuit, and the converted current is converted to the voltage corresponding to the converted current through the second conversion circuit. Transistors are: drain terminals and source terminals, for self current source current flow; and gate terminals, through the transmission path is applied by the second conversion circuit voltage. Moreover, the drain voltage of the transistor and the differential voltage of the reference voltage are amplified by the amplifying circuit.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2016-161067号(申请日：2016年8月19日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式一般涉及一种半导体装置。
技术介绍
近年来的半导体装置是通过使用振幅电压不同的信号，将小振幅信号传输至使用大振幅信号的电路，来谋求半导体装置整体的省电化。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置中，通过第一转换电路将输入信号转换为与输入信号对应的电流，通过第二转换电路将经转换的电流转换为与经转换的电流对应的电压。晶体管具备：漏极端子，接收来自定电流源的电流；及栅极端子，被施加由传输路径传输的电压。而且，通过放大电路，将晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大。附图说明图1是表示第一实施方式的半导体装置的构成的图。图2是表示第一实施方式的半导体装置的构造的剖视图。图3是表示第一实施方式的半导体装置的构造的剖视图。图4是表示在存储芯片10设置有电流驱动电路13，在接口芯片20设置有电流接收放大电路23的半导体装置的图。图5是表示在存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具备：第一转换电路，将输入信号转换为与所述输入信号对应的电流；第二转换电路，将经所述第一转换电路转换的电流转换为与所述经转换的电流对应的电压；传输路径，传输所述电压；定电流源；晶体管，具备接收来自所述定电流源的电流的漏极端子、及被施加由所述传输路径传输的所述电压的栅极端子；及放大电路，将所述晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大并输出。

【技术特征摘要】
2016.08.19 JP 2016-1610671.一种半导体装置，其具备：第一转换电路，将输入信号转换为与所述输入信号对应的电流；第二转换电路，将经所述第一转换电路转换的电流转换为与所述经转换的电流对应的电压；传输路径，传输所述电压；定电流源；晶体管，具备接收来自所述定电流源的电流的漏极端子、及被施加由所述传输路径传输的所述电压的栅极端子；及放大电路，将所述晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大并输出。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进而具备：第三转换电路，将电流转换为电压；第二传输路径，传输由所述第三转换电路获得的所述电压；第二定电流源；及第四转换电路，基于由所述第二传输路径传输的所述电压及来自所述第三定电流源的电流，生成所述参考电压。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一转换电路及所述第二转换电路形成于第一半导体基板以及所述定电流源、所述晶体管及所述放大电路与所述第一半导体基板不同的第二半导体基板。4.一种半导体装置，其具备：第一转换电路，将输入信号转换为与所述输入信号对应的电流；传输路径，供经所述第一转换电路转换的电流流动；第二转换电路，将来自所述传输路径的所述经转换的电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：小内俊之，奥野晋也，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP