一种多时序可编程存储器及电子装置制造方法及图纸
A multi time programmable memory and electronic device
【技术实现步骤摘要】
一种多时序可编程存储器及电子装置
本专利技术涉及半导体器件，具体而言涉及一种多时序可编程存储器及电子装置。
技术介绍
多时序可编程存储器(MTP存储器，multiple-timeprogrammablememory)属于非易失性存储器(NVM)的一种，其具有特殊的编写方法。相比其它NVM，MTP存储器进行编写操作时，从位线(bitline)流向源线(sourceline)的编写电流(programcurrent)的数值更高，其它NVM进行编写操作时，每个存储单元的编写电流小于10nA，MTP存储器进行编写操作时，每个存储单元的编写电流超过20μA，二进制组位(bytemode)的编写所需要的编写电流不低于160μA。因此，MTP存储器进行编写操作时，位线与源线之间需要具备恒定电位(大约为6V)，然而，编写电流过大导致位线与源线之间负电荷泵偏置电压(pumpbias)的衰减，进而造成位线与源线之间不具备所需要的恒定电位。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种多时序可编程存储器，其特征在于，包括多时序可编程存储单元阵列、第一电源供应装置、第二电源供应装置、...
【技术保护点】
一种多时序可编程存储器，其特征在于，包括多时序可编程存储单元阵列、第一电源供应装置、第二电源供应装置、电流监控模块和时钟控制模块，其中：所述第一电源供应装置配置为给所述多时序可编程存储单元阵列中的位线提供正偏压；所述第二电源供应装置配置为给所述多时序可编程存储单元阵列中的源线提供负偏压；所述电流监控模块配置为检测从所述位线流向所述源线的编写电流，并根据所述编写电流的大小输出控制信号ICC‑OUT；所述时钟控制模块配置为根据输入的所述控制信号ICC‑OUT向所述第一电源供应装置和所述第二电源供应装置传送不同的时钟频率，以调节所述第一电源供应装置和所述第二电源供应装置的泵驱动。
【技术特征摘要】
1.一种多时序可编程存储器，其特征在于，包括多时序可编程存储单元阵列、第一电源供应装置、第二电源供应装置、电流监控模块和时钟控制模块，其中：所述第一电源供应装置配置为给所述多时序可编程存储单元阵列中的位线提供正偏压；所述第二电源供应装置配置为给所述多时序可编程存储单元阵列中的源线提供负偏压；所述电流监控模块配置为检测从所述位线流向所述源线的编写电流，并根据所述编写电流的大小输出控制信号ICC-OUT；所述时钟控制模块配置为根据输入的所述控制信号ICC-OUT向所述第一电源供应装置和所述第二电源供应装置传送不同的时钟频率，以调节所述第一电源供应装置和所述第二电源供应装置的泵驱动。2.根据权利要求1所述的多时序可编程存储器，其特征在于，所述电流监控模块电性连接位线驱动器、所述第一电源供应装置和所述时钟控制模块。3.根据权利要求1所述的多时序可编程存储器，其特征在于，所述电流监控模块将检测到的所述编写电流转换成电平信号从所述电流监控模块的第一输入端输入至第一PMOS晶体管P1的漏极和第二PMOS晶体管P2的漏极，所述第一PMOS晶体管P1的源极和栅极连接在一起并连接至所述第二PMOS晶体管P2的栅极，所述第二PMOS晶体管P2的源极连接至所述电流监控模块的输出端。4.根据权利要求3所述的多时序可编程存储器，其特征在于，所述电流监控模块的第二输入端连接至第一控制信号EXT_bias，所述第一控制信号EXT_bias用于控制所述电流监控模块中的第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2的开关，所述电流监控模块的第三输入端连接至第二控制信号EN，所述第二控制信号EN用于控制所述电流监控模块中的第三PMOS晶体管P3和第三NMOS晶体管N3的开关。5.根据权利要求4所述的多时序可编程存储器，其特征在于，所述第一控制信号EXT_bias经由所述电流监控模块的第二输入端输入所述第三PMOS晶体管P3的源极，所述第三PMOS晶体管P3的漏极与所述第三NMOS晶体管N3的漏极、所述第一NMOS晶体管N1的漏极连接在一起，所述第二控制信号EN经由所述电流监控模块的第三输入端输入一反相器，经过所述反相器处理后输出...
【专利技术属性】
技术研发人员：權彞振，倪昊，郑晓，殷常伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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