成像元件及其制造方法技术

一种固态图像传感器，包括：基板，其中设有光电转换元件，光电转换元件将入射光量转换成电荷量；存储单元，设置在光电转换元件的一侧，存储单元接收来自光电转换元件的电荷量；第一光屏蔽部，形成在存储单元的第一侧，且设置在电荷累积区域和光电转换元件之间；以及第二光屏蔽部，形成在存储单元的第二侧，第二侧与第一侧相对。

Imaging elements and their manufacturing methods

A solid-state image sensor includes a substrate, which is provided with a photoelectric conversion element, a photoelectric conversion element to the incident light into electric charge; a storage unit is arranged on one side of the photoelectric conversion element, the storage unit receives the charge from the photoelectric conversion element; a first light shielding portion, a first side in the storage unit, and set the between the accumulation area and the photoelectric conversion element in charge; and the second light shielding part is formed on the second side of the storage unit, the second side is opposite the first side.

【技术实现步骤摘要】
成像元件及其制造方法本申请是申请日为2013年11月1日、申请号为201310533749.8、专利技术名称为“成像元件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及成像元件及其制造方法，特别是，涉及抑制杂散光影响的成像元件及其制造方法。
技术介绍
因为现有技术的CMOS图像传感器通常为顺序读取像素的卷帘快门类型的传感器，图像可能因每个像素的曝光时间差而失真。为了防止这样的问题，已经提出了全局快门类型的图像传感器，其中通过在像素中形成电荷保持单元同时读取所有的像素(见日本未审查专利申请公开No.2008-103647)。在全局快门类型的图像传感器中，在所有的像素同时读到电荷保持单元后，像素被继续读取。因此，因为对于每个像素的曝光时间可为相同的，所以能防止在图像中产生失真。
技术实现思路
在日本未审查专利申请公开No.2008-103647中，已经提出了全局快门类型图像传感器。然而，在该全局快门类型图像传感器中，必须在像素内形成电荷保持区域。为此，像素的布置可能受到限制。如日本未审查专利申请公开No.2008-103647所述，因为电荷保持区域在像素的布置内，所以开口率可能下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态图像传感器，包括：基板，其中设有光电转换元件，该光电转换元件将入射光量转换成电荷量；存储器，设置在该光电转换元件的一侧，该存储器接收来自该光电转换元件的该电荷量；第一光屏蔽件，形成在该存储器的第一侧；以及第二光屏蔽件，形成在该存储器的第二侧，使该第二侧与该第一侧相对，第三光屏蔽件，形成在存储器的光入射侧，位于第一光屏蔽件和第二光屏蔽件之间。

【技术特征摘要】
2012.11.09 JP 2012-2475811.一种固态图像传感器，包括：基板，其中设有光电转换元件，该光电转换元件将入射光量转换成电荷量；存储器，设置在该光电转换元件的一侧，该存储器接收来自该光电转换元件的该电荷量；第一光屏蔽件，形成在该存储器的第一侧；以及第二光屏蔽件，形成在该存储器的第二侧，使该第二侧与该第一侧相对，第三光屏蔽件，形成在存储器的光入射侧，位于第一光屏蔽件和第二光屏蔽件之间。2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：转移栅极，至少部分地设置在该光电转换元件中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元，其中配线层通过该第一光屏蔽件将该转移栅极连接到该存储单元。3.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：转移栅极，至少部分地设置在该第一光屏蔽件的开口中，该转移栅极将由该光电转换元件光电转换的电荷转移到该存储单元。4.根据权利要求3所述的固态图像传感器，其中该电荷从该转移栅极转移到该基板上的该存储单元。5.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：浮置栅极、浮置扩散区域和复位栅极，其中该浮置栅极、该浮置扩散区域和该复位栅极的每一个均设置在该第一光屏蔽件和该第二光屏蔽件之间。6.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中该第一光屏蔽件的一部分和该第二光屏蔽件的一部分中的至少之一形成为从上基板表面向下延伸且在深度方向上实质上穿透该基板的中间。7.根据权利要求6所述的固态图像传感器，还包括：第三光屏蔽件，交替地设置在该第一光屏蔽件和该第二光屏蔽件之间。8.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中由该光电转换元件接收的光入射在该基板的后表面。9.一种电子设备，包括：光学单元；以及固态成像装置，包括设置成二维矩阵的单位像素，其中每个单位像素包括：基板，其中设有光电转换元件，该光电转换元件将入射光量转换成电荷量；存储器，设置在该光电转换元件的一侧，该存储器接收来自该光电转换元件的该电荷量；第一光屏蔽件，形成在该存储器的第一侧；以及第二光屏蔽件，形成在该存储器的第二侧，使该第二侧与该第一侧相对，所述电子设备还包括：第三光屏蔽件，形成在存储器的光入射侧，位于第一光屏蔽件和第二光屏蔽件之间。10.根据权利要求9所述的电子设备，还包括：转...

【专利技术属性】
技术研发人员：武田健，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP