图像传感器及制造其的方法技术

一种配置为提供提高的可靠性的图像传感器可以包括含多种不同元素的电荷钝化层，不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素。不同元素可以包括周期表元素的第一族的第一元素以及周期表元素的第二不同的族的第二元素。电荷钝化层可以包括非晶晶体结构。

Image sensor and the method of making it

An image sensor configured to provide increased reliability can include a charge passivation layer containing many different elements. Each element of each element is metal or quasi metal element. The different elements can include the first element of the first family of the periodic table element and the second element of the second different family of the periodic table element. The charge passivation layer can include amorphous crystal structure.

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及制造其的方法
本公开涉及图像传感器及制造其的方法。
技术介绍
图像传感器是配置为将光学图像转换成电信号的器件。图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(CCD)类型和互补金属氧化物半导体(CMOS)类型。CMOS型图像传感器可以被称为“CIS”(CMOS图像传感器)。CIS可以包括多个二维布置的像素(例如像素的阵列)。像素的每个可以包括光电二极管(PD)。光电二极管可以被配置为将入射光转换成电信号。近年来，计算机和通信行业的发展使得对配置为在诸如数码相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏设备、安保摄像头、医疗微型相机、机器人等的各种领域中提供增强的性能的图像传感器的增加的需求成为可能。此外，高度集成的半导体器件已经使图像传感器的高集成度成为可能。
技术实现思路
一些示例实施方式提供能够改善暗状态特性因而提高可靠性的图像传感器。一些示例实施方式提供制造能够改善暗状态特性因而提高可靠性的图像传感器的方法。根据本公开的目的不限于上述目的，并且除上述目的之外的目的对于本领域技术人员将由以下描述被清楚地理解。根据一些示例实施方式，一种图像传感器可以包括：包括彼此相对的第一表面和第二表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：包括彼此相对的第一表面和第二表面的衬底，所述衬底还包括光电转换器件；在所述衬底的所述第一表面上的绝缘结构，所述绝缘结构包括金属布线；在所述衬底的所述第二表面上的电荷钝化层，所述电荷钝化层包括非晶晶体结构，所述电荷钝化层还包括多种不同元素，所述不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素；以及在所述电荷钝化层上的微透镜。

【技术特征摘要】
2016.08.16 KR 10-2016-01034261.一种图像传感器，包括：包括彼此相对的第一表面和第二表面的衬底，所述衬底还包括光电转换器件；在所述衬底的所述第一表面上的绝缘结构，所述绝缘结构包括金属布线；在所述衬底的所述第二表面上的电荷钝化层，所述电荷钝化层包括非晶晶体结构，所述电荷钝化层还包括多种不同元素，所述不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素；以及在所述电荷钝化层上的微透镜。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述电荷钝化层包括，从周期表元素的第一族选择的金属元素或准金属元素，以及从周期表元素的第二族选择的金属元素或准金属元素，所述第二族不同于所述第一族。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述电荷钝化层包括下钝化层和上钝化层，以及所述下钝化层包括第一材料元素，所述上钝化层包括不同于所述第一材料元素的第二材料元素。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述下钝化层和所述上钝化层的每个包括多种不同元素，不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述下钝化层包括，从周期表元素的第一族选择的元素，以及从周期表元素的第二族选择的元素，所述第二族不同于所述第一族，以及所述上钝化层包括，从周期表元素的第三族选择的元素，以及从周期表元素的第四族选择的元素，所述第四族不同于所述第三族。6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述下钝化层和所述上钝化层的每个钝化层包括非晶晶体结构。7.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：在所述下钝化层与所述上钝化层之间的插入钝化层，其中所述插入钝化层包括所述第一材料元素的至少一部分和所述第二材料元素的至少一部分。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述电荷钝化层包括下钝化层和上钝化层，所述下钝化层和所述上钝化层包括共同的材料，以及所述下钝化层的化学计量不同于所述上钝化层的化学计量。9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：至少部分地延伸穿过所述衬底的沟槽；以及沿着所述沟槽的侧壁延伸的沟槽电荷钝化层。10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述沟槽邻近所述衬底的所述第二表面，以及所述电荷钝化层和所述沟槽电荷钝化层彼此接触。11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电荷钝化层包括含至少一种金...

【专利技术属性】
技术研发人员：白寅圭，严祥训，李泰渊，许在成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR