一种CIS芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种CIS芯片的封装结构，涉及半导体技术领域，该封装结构包括：透明载片；CIS芯片晶圆，其焊盘和感光区设置于CIS芯片晶圆的第一表面；围堰，设置于CIS芯片晶圆的第一表面和透明载片的第一表面之间，与CIS芯片晶圆的第一表面、透明载片的第一表面形成封闭空腔；金属线路层，设置于CIS芯片晶圆的第二表面，金属线路层通过贯穿CIS芯片晶圆的金属导线与CIS芯片晶圆第一表面的焊盘连接；绝缘层，设置于金属线路层表面。本实用新型专利技术通过贯穿CIS芯片晶圆的金属导线连接CIS芯片晶圆第二表面的金属线路层与CIS芯片晶圆的焊盘，将电信号引出到CIS芯片晶圆的第二表面。该封装结构不会产生较大机械应力，从而不会形成隐裂；焊盘与晶圆连接强度高，不易变形。

An encapsulation structure of CIS chip

The utility model discloses a package structure of CIS chip, relates to the field of semiconductor technology, the package structure comprises a transparent substrate; CIS chip wafer, the first surface of the pad and the photosensitive area is positioned on the CIS chip wafer; cofferdam, between the first surface is arranged on the CIS chip and the first surface of the transparent wafer carrier sheet first, the surface and the first surface, CIS chip wafer transparent slides to form a closed cavity; the metal wiring layer second arranged on the surface of CIS chip wafer, the metal circuit layer through a metal wire and CIS crystal chip CIS chip wafer round pads first surface connection; insulating layer arranged on the surface of the metal circuit layer. The utility model connects the metal conductor through the wafer of the CIS chip to the metal wiring layer of the CIS chip wafer, the second surface and the pad of the CIS chip wafer, and leads the electrical signal to the second surface of the wafer wafer of the CIS chip. The packaging structure does not produce large mechanical stress, so it will not form a hidden crack, and the bonding strength of the weld plate with the wafer is high, and it is not easy to deform.

【技术实现步骤摘要】
一种CIS芯片的封装结构
本技术涉及半导体
，具体涉及一种CIS芯片的封装结构。
技术介绍
CIS(英文全称：CMOSImageSensor，中文：CMOS图像传感器)芯片在封装的过程中，需要对其感光区进行隔离，以免感光区遭受微颗粒的污染。中国专利(CN104465581A)公开了一种CIS封装结构。如图1所示，102为CIS芯片晶圆，其感光区103与焊盘104位于同一表面。100为盖板，101为键合胶，其中键合胶101在CIS芯片晶圆表面形成围堰，与CIS芯片晶圆表面、盖板100一起形成空腔100c。另外，106为金属层，108为焊球，焊盘104和焊球108通过金属层106连接，从而将CIS芯片的图像信号引出。107为防焊层。由于CIS芯片晶圆的感光区103与焊盘104位于同一表面，因此在封装时需要将和焊盘104引出至与第一表面相对的第二表面。图1所示现有技术中，引出焊盘104的金属层设置在CIS芯片晶圆的外侧，并且为便于工艺流程在CIS芯片晶圆的外侧形成金属层，对CIS芯片晶圆侧面进行斜切，在此基础上形成与焊盘104连接的金属层106。然而，一方面，在对焊盘104进行切割的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CIS芯片的封装结构，其特征在于，包括：透明载片；CIS芯片晶圆，其焊盘和感光区设置于所述CIS芯片晶圆的第一表面；围堰，设置于所述CIS芯片晶圆的第一表面和所述透明载片的第一表面之间，与所述CIS芯片晶圆的第一表面、所述透明载片的第一表面形成封闭空腔；金属线路层，设置于所述CIS芯片晶圆的第二表面，所述金属线路层通过贯穿所述CIS芯片晶圆的金属导线与所述CIS芯片晶圆第一表面的焊盘连接；绝缘层，设置于所述金属线路层表面。

【技术特征摘要】
1.一种CIS芯片的封装结构，其特征在于，包括：透明载片；CIS芯片晶圆，其焊盘和感光区设置于所述CIS芯片晶圆的第一表面；围堰，设置于所述CIS芯片晶圆的第一表面和所述透明载片的第一表面之间，与所述CIS芯片晶圆的第一表面、所述透明载片的第一表面形成封闭空腔；金属线路层，设置于所述CIS芯片晶圆的第二表面，所述金属线路层通过贯穿所述CIS芯片晶圆的金属导线与所述CIS芯片晶圆第一表面的焊盘连接；绝缘层，设置于所述金属线路层表面。2.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装结构，其特征在于，所述CIS芯片晶圆的焊盘突出于第一表面；并且，所述围堰包覆所述焊盘。3.根据权利要求1所述的CIS芯片的封装结构，其特征在于，所述CIS芯片晶圆、所述围堰和所述透明载片的外侧面为从上至下向外延伸的斜面；所述绝缘层和/或所述金属线路层覆盖所述斜面。4.根据权利要求3所述的CIS芯片的封装结构，其特征在于，所述斜面延伸至所述透明载片的第一表面和第二表面之间；所述第二表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：任玉龙，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32