半导体封装件和使用半导体封装件的电子装置模块制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体封装件和使用半导体封装件的电子装置模块。所述半导体封装件包括：框架，具有通孔；电子组件，设置在所述通孔中；金属层，设置在所述框架的内表面和所述电子组件的上表面中的任意一个或两者上；重新分配部，设置在所述框架和所述电子组件的下面；以及导电层，连接到所述金属层。

Semiconductor package and electronic device module using semiconductor packaging

The present invention provides a semiconductor package and an electronic device module using a semiconductor package. The semiconductor package includes a frame having a through hole; the electronic component is arranged in the through hole; the metal layer on the surface of the inner surface of the arbitrary setting of the frame and the electronic component in one or two; re Distribution Department, provided under the frame and the electronic components; and the conductive layer is connected to the metal layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件和使用半导体封装件的电子装置模块本申请要求于2016年8月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0104868号以及于2017年2月27日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0025309号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种半导体封装件。以下的描述还涉及一种使用这样的半导体封装件的电子装置模块。
技术介绍
随着半导体封装件变得更薄、更轻以及更紧凑，电子组件运行时的散热导致的电力损耗已成为一个重要问题。由电子组件产生的热导致电子组件和半导体封装件劣化，从而导致可靠性降低和装置特性退化的问题。此外，由于小型化的趋势，电子产品的尺寸已减小。结果，由于这样的小型化可发生各种装置之间的距离减小以及根据现有技术的电磁干扰(EMI)屏蔽方法的应用出现问题的问题。因此，开发提高散热和EMI屏蔽性能的结构将有助于解决上述问题。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化形式介绍专利技术构思的选择，以下在具体实施方式中进一步描述该专利技术构思。本
技术实现思路
并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种半导体封装件包括：框架，包括通孔；电子组件，设置在所述通孔中；金属层，设置在所述框架的内表面和所述电子组件的上表面中的任意一个或两者上；重新分配部，设置在所述框架和所述电子组件的下面；以及导电层，连接到所述金属层。所述框架可包括由绝缘材料形成的芯以及设置在所述芯的上表面和下表面中的任意一个或两者上的导体层。所述导体层可包括银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)和铂(Pt)中的任意一种或者两种或更多种的任意组合。所述框架可包括过孔，所述过孔被构造为将所述导体层和所述重新分配部电连接，并且所述过孔可将所述金属层和所述导电层连接到接地电极。所述金属层可包括：第一金属层，设置在所述电子组件的上表面上；第二金属层，设置在所述框架的所述内表面上。所述金属层可由铜(Cu)、镍(Ni)或者包括铜(Cu)和镍(Ni)中的一种的合金形成。所述导电层可被构造为覆盖所述电子组件和所述框架的上部。所述导电层可连接设置在所述电子组件的上表面上的金属层和设置在所述框架中的导体层。所述导电层可呈带状。所述导电层可由导电环氧树脂(例如银(Ag)环氧树脂)或焊料材料形成。所述重新分配部可包括由绝缘材料形成的绝缘层和设置在所述绝缘层中的布线层。所述绝缘层可延伸到由形成在所述框架的所述内表面上的所述金属层和所述电子组件的外表面形成的空间。在另一总的方面，一种半导体封装件包括；框架，包括通孔和设置在所述框架的内表面上的第一金属层；电子组件，设置在所述通孔中；重新分配部，设置在所述框架和所述电子组件的下面；以及第二金属层，被构造为覆盖所述电子组件的上表面和所述框架的上表面。所述框架可包括由绝缘材料形成的芯以及设置在所述芯的上表面和下表面中的任意一个或两者上的导体层。所述导体层可包括银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)和铂(Pt)中的任意一种或者两种或更多种的任意组合。所述框架可包括过孔，所述过孔被构造为将所述导体层和所述重新分配部电连接，并且所述过孔可将所述第一金属层和所述第二金属层连接到接地电极。所述第一金属层和所述第二金属层可由铜(Cu)和镍(Ni)中的一种或者包含铜(Cu)和镍(Ni)中的一种的合金形成。所述重新分配部可包括由绝缘材料形成的绝缘层和设置在所述绝缘层中的布线层，并且所述绝缘层可延伸到由形成在所述框架的所述内表面上的所述第一金属层和所述电子组件的外表面形成的空间。在另一总的方面，一种电子装置模块包括：上述的半导体封装件以及安装在所述半导体封装件的表面上的电子装置。在另一总的方面，一种电子装置模块包括：上述的半导体封装件以及安装在所述半导体封装件的表面上的叠层封装件。通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其它特征和方面将显而易见。附图说明图1是根据第一示例的半导体封装件的示意性截面图。图2至图9是示出制造根据第一示例的半导体封装件的方法的过程的示图。图10是根据第二示例的半导体封装件的示意性截面图。图11是根据第三示例的半导体封装件的示意性截面图。图12至图19是示出制造根据第三示例的半导体封装件的方法的过程的示图。图20是根据第一示例的电子装置模块的示意性截面图。图21是根据第二示例的电子装置模块的示意性截面图。图22是根据第三示例的电子装置模块的示意性截面图。在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中公知的特征的描述。在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的多种可行方式中的一些可行方式。在整个说明书中，当元件(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。如在此使用的术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个和任何两个或更多个的任何组合。虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中提及的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件之间的关系。这样的空间相对术语意于包含除了附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”另一元件“之上”或“上方”的元件将随后被描述为“在”另一元件“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方向包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以另外的方式被定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并将对在此使用的空间相关术语做出相应的解释。在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：框架，包括通孔；电子组件，设置在所述通孔中；金属层，设置在所述框架的内表面和所述电子组件的上表面中的任意一个或两者上；重新分配部，设置在所述框架和所述电子组件的下面；以及导电层，连接到所述金属层。

【技术特征摘要】
2016.08.18 KR 10-2016-0104868;2017.02.27 KR 10-2011.一种半导体封装件，包括：框架，包括通孔；电子组件，设置在所述通孔中；金属层，设置在所述框架的内表面和所述电子组件的上表面中的任意一个或两者上；重新分配部，设置在所述框架和所述电子组件的下面；以及导电层，连接到所述金属层。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述框架包括由绝缘材料形成的芯以及设置在所述芯的上表面和下表面中的任意一个或两者上的导体层。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述导体层包括银、钯、铝、镍、钛、金、铜和铂中的任意一种或者两种或更多种的任意组合。4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述框架包括过孔，所述过孔被构造为将所述导体层和所述重新分配部电连接，并且所述过孔将所述金属层和所述导电层连接到接地电极。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属层包括：第一金属层，设置在所述电子组件的上表面上；第二金属层，设置在所述框架的所述内表面上。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述金属层由铜、镍，或者包含铜和镍中的一种的合金形成。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电层被构造为覆盖所述电子组件和所述框架的上部。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电层连接设置在所述电子组件的上表面上的金属层和设置在所述框架中的导体层。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述导电层呈带状。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电层由银环氧树脂、导电环氧树脂或焊料材料形成。11.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰贤，金锡庆，韩奎范，金兑勋，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR