一种低剖面多芯片封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭示了一种低剖面多芯片封装结构及其制造方法。低剖面多芯片封装结构至少包括一第一芯片和一第二芯片，第一芯片具有有源面及相对该有源面的背面，第一芯片的有源面或背面上设置有凹槽且与凹槽位于同一侧的表面上设置有植球；第二芯片设置并容纳于第一芯片的凹槽中，第二芯片具有接近凹槽底面的第一表面及相对该第一表面且远离凹槽底面的第二表面，且第二表面上设置有植球。相较于现有技术，本发明专利技术揭示的多芯片封装结构及其制造方法，可以使得多芯片封装体更轻薄，制造良率更高，同时使不同芯片的信号输出同步。

A low profile multi chip package structure and its manufacturing method

The invention discloses a low profile multi chip package structure and a manufacturing method. Low profile multi chip package structure includes at least a first chip and a second chip, the first chip has an active surface and relative to the active surface, the active surface or the back of the first chip is arranged on the surface of the groove and located on the same side with the groove is arranged on the ball; second chip set and accommodated in the groove of the first chip in second, the chip has close to the bottom of the groove and the first surface relative to the first surface and the second surface away from the bottom of the groove, and set second on the surface of ball. Compared with the existing technology, the multi chip packaging structure and manufacturing method disclosed by the invention can make the multi chip package more light and thin, and produce higher yield, and synchronize the output of different chips.

【技术实现步骤摘要】
一种低剖面多芯片封装结构及其制造方法
本专利技术涉及芯片封装领域，特别涉及传感器的多芯片封装及其制造方法。
技术介绍
便携式消费电子的流行使得半导体器件封装朝着小型化、薄型化的方向发展。SIP封装（systeminapackage）是对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，将多个具有不同功能的有源电子元件与可选的无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。例如苹果TouchID2.0采用的封装方式为首先将传感芯片背面与FPC（柔性电路元件）相贴合，再将另外两颗芯片粘接在传感芯片背面镂空处，传感芯片与另外两颗芯片均通过wirebonding工艺与FPC实现电连接。这在一定程度上降低了封装体的厚度，但制造工艺难度大，良率较低。而一般堆叠封装随着堆叠层数的增加，其封装体的厚度也相应的增加，信号传输延时差异也越大，制造难度也大幅增加。现有技术中一般通过磨减基板厚度使得封装体积最小化，但当基板磨减至一定厚度时，继续减薄会影响封装体电性能，使良率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种更轻薄、制造良率更高，且使不同芯片的信号输出同步的低剖面多芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述低剖面多芯片封装结构至少包括一第一芯片和一第二芯片:所述第一芯片具有有源面及相对该有源面的背面，所述第一芯片的有源面或背面上设置有凹槽；所述第二芯片设置并容纳于所述第一芯片的凹槽中，所述第二芯片具有接近所述凹槽底面的第一表面及相对该第一表面且远离所述凹槽底面的第二表面。

【技术特征摘要】
1.一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述低剖面多芯片封装结构至少包括一第一芯片和一第二芯片:所述第一芯片具有有源面及相对该有源面的背面，所述第一芯片的有源面或背面上设置有凹槽；所述第二芯片设置并容纳于所述第一芯片的凹槽中，所述第二芯片具有接近所述凹槽底面的第一表面及相对该第一表面且远离所述凹槽底面的第二表面。2.如权利要求1所述的一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，与所述第一芯片凹槽开口位于同一侧的表面上设置有植球，所述第二芯片的第二表面上设置有植球。3.如权利要求1所述的一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片为传感器。4.如权利要求1所述的一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽设置于所述第一芯片的背面上，所述植球设置于所述第一芯片的，所述有源面与所述植球电性连接。5.如权利要求1所述的一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽设置于所述第一芯片的有源面上，所述植球设置于有源面上，所述有源面与所述植球电性连接。6.如权利要求4或5所述的一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽被设置为具有斜坡剖面，所述凹槽的底面与所述第二芯片的第一表面相贴合。7.如权利要求4或5所述的一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽被设置为具有斜坡剖面，所述凹槽的底面及侧面与所述第二芯片的第一表面及侧面相贴合。8.如权利要求4或5所述的一种低剖面多芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽被设置为具有斜坡剖面，所述第二芯片的第一表面对应所述凹槽的底面嵌入到凹槽中。9.如权利要求4或5所述的一种低剖面多芯片封装结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李扬渊，
申请(专利权)人：苏州迈瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32