扇出型封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种扇出型封装结构，所述扇出型封装结构包括：重新布线层；半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面；粘片膜，位于所述半导体芯片的背面；塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面；焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面。本实用新型专利技术的扇出型封装结构通过在半导体芯片的背面设置粘片膜，在制备过程中通过粘片膜将半导体芯片正面朝上正装于衬底的上表面，使得半导体芯片与衬底的粘合力大大增加，可以使得半导体芯片牢固地贴合于衬底的上表面，可以确保在后续的塑封等制备过程中半导体芯片不会发生晃动，半导体芯片与重新布线层的接触良好，从而确保扇出型封装结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
扇出型封装结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种扇出型封装结构。
技术介绍
更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，先进的封装方法包括：晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，WLCSP)，扇出型晶圆级封装(Fan-OutWaferLevelPackage，FOWLP)，倒装芯片(FlipChip)，叠层封装(PackageonPackage，POP)等等。扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，是目前一种输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的先进封装方法之一。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有其独特的优点：①I/O间距灵活，不依赖于芯片尺寸；②只使用有效裸片(die)，产品良率提高；③具有灵活的3D封装路径，即可以在顶部形成任意阵列的图形；④具有较好的电性能及热性能；⑤高频应用；⑥容易在重新布线层(RDL)中实现高密度布线。然而，现有封装结构制备时一般都是将半导体芯片通过剥离层之间键合于半导体衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且所述半导体芯片的正面与所述重新布线层电连接；粘片膜，位于所述半导体芯片的背面；塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，所述塑封材料层填满所述半导体芯片及所述粘片膜之间的间隙，并将所述半导体芯片及所述粘片膜塑封；焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且所述半导体芯片的正面与所述重新布线层电连接；粘片膜，位于所述半导体芯片的背面；塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，所述塑封材料层填满所述半导体芯片及所述粘片膜之间的间隙，并将所述半导体芯片及所述粘片膜塑封；焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：电介质层；金属线层，位于所述电介质层内。3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32