一种晶圆传送装置以及高能离子注入机制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶圆传送装置以及高能离子注入机，其中，晶圆传送装置包括：真空放置盒，真空放置盒内设置有多个晶圆放置结构；每个晶圆放置结构包括：一对承托部，用以承托放置的晶圆凸出的真空吸附盘，设置于一对承托部上，用以吸附晶圆；气体驱动装置，用以驱动真空放置盒自一初始位置水平移动至晶圆卸载口；气体流量控制阀，气体流量控制阀的进气端与一进气管连接，用以控制输入气体驱动装置中的气体流量；气体流量计，用以显示进入气体驱动装置中的进气量。其技术方案的有益效果在于，避免真空放置盒内的晶圆与承托部之间发生碰撞，造成晶圆出现损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆传送装置以及高能离子注入机
本技术涉及半导体制备领域，尤其涉及一种应用于高能离子注入机中的晶圆传送装置以及高能离子注入机。
技术介绍
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型，其中高能离子主机机型还包括亚舍利机型。离子注入机中设置有反应腔体，通过外部的晶圆传送装置将晶圆传送至反应腔体内进行离子注入反应，而晶圆传送装置通常是通过气体驱动装置进行驱动的，传送装置于装载好晶圆后，通过气体驱动装置将传送装置于初始位置驱动至离子注入机设置有晶圆卸载口的位置，其中在晶圆的传送过程中，给气体驱动装置提供气体时，往往因为气体的流量控制不准导致晶圆在传送装置中出现抖动，进而引起晶圆与传送装置中的承托部发生碰撞导致晶圆表面出现损伤，这种损伤会造成晶圆2个晶粒良率损失。
技术实现思路
针对现有技术中在晶圆传送过程中存在的上述问题，现提供一种能准确控制气体进气量，使晶圆在传送过程中避免因为气体驱动装驱动不稳定造成晶圆与承托部之间发生碰撞使晶圆表面出现损伤的晶圆传送装置以及高能离子注入机。具体技术方案如下：一种晶圆传送装置，应用于高能离子注入机中，所述高能离子注入机包括一反应腔体，以及与所述反应腔体连接的一晶圆卸载口，通过一晶圆传送装置将晶圆自所述晶圆卸载口传送至所述反应腔体内，其特征在于，所述晶圆传送装置包括：真空放置盒，所述真空放置盒内设置有多个晶圆放置结构；每个所述晶圆放置结构包括：一对承托部，用以承托放置的所述晶圆凸出的真空吸附盘，设置于所述一对承托部上，用以吸附所述晶圆；气体驱动装置，与所述真空放置盒连接，用以驱动所述真空放置盒自一初始位置水平移动至所述晶圆卸载口；气体流量控制阀，所述气体流量控制阀的进气端与一进气管连接，出气端与所述气体驱动装置连接，用以控制输入所述气体驱动装置中的气体流量；气体流量计，连接于所述气体流量控制阀与所述气体驱动装置之间，用以显示进入所述气体驱动装置中的进气量。优选的，还包括一真空发生装置，每个所述真空吸附盘与所述真空发生装置连接，所述真空发生装置用以控制每个所述真空吸附盘吸附所述晶圆。优选的，所述气体驱动装置为气缸。优选的，相邻的所述晶圆放置结构之间的设置间隔相同。优选的，所述一对承托部由不锈钢材质制成。优选的，所述真空吸附盘由硅橡胶材质制成。还包括一种高能离子注入机，其中，包括上述的的晶圆传送装置。上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过气体流量控制阀可精确控制进气量进而使气体驱动装置能够平稳驱动真空放置盒避免放置与真空放置盒内的晶圆与承托部之间发生碰撞，造成晶圆出现损伤的问题。附图说明图1为本技术一种晶圆传送装置的实施例的结构示意图；图2为本技术一种晶圆传送装置的实施例中，关于真空放置盒的结构示意图；图3为本技术一种晶圆传送装置的实施例中，关于真空放置盒中的晶圆放置结构的示意图；图4为本技术一种晶圆传送装置的实施例中，关于气体流量控制阀的结构示意图。附图标记表示：1、真空放置盒；2、气体驱动装置；3、气体流量控制阀；4、气体流量计；11、晶圆放置结构；12、承托部；13、真空吸附盘。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。本技术的技术方案中包括一种晶圆传送装置。如图1至图3所示，一种晶圆传送装置的实施例，应用于高能离子注入机中，高能离子注入机包括一反应腔体(未于图中示出)，以及与反应腔体连接的一晶圆卸载口(未于图中示出)，通过一晶圆传送装置将晶圆自晶圆卸载口传送至反应腔体内，其中，晶圆传送装置包括：真空放置盒1，真空放置盒1内设置有多个晶圆放置结构11；每个晶圆放置结构11包括：一对承托部12，用以承托放置的晶圆；凸出的真空吸附盘13，设置于一对承托部12上，用以吸附晶圆；气体驱动装置2，与真空放置盒1连接，用以驱动真空放置盒1自一初始位置水平移动至晶圆卸载口；气体流量控制阀3，气体流量控制阀3的进气端与一进气管(未于图中示出)连接，出气端与气体驱动装置2连接，用以控制输入气体驱动装置2中的气体流量；气体流量计4，连接于所述气体流量控制阀3与所述气体驱动装置2之间，用以显示进入所述气体驱动装置2中的进气量。针对现有技术中的气体驱动装置2，在无法精确控制气体的进气量下，导致气体驱动装置2在驱动传送装置是出现抖动，导致放置于承托部12上的晶圆从承托部12的位置脱落，撞击到相邻的承托部12造成晶圆的损伤。本技术提供了一种晶圆传送装置，在传送晶圆过程中，通过将晶圆放置于真空放置盒1内的承托部12上，通过承托部12上设置的真空吸附盘13吸附住传送的晶圆，待晶圆放置完成后，通过气体流量控制阀3控制输送至气体驱动装置2中的气体流量，进一步的参照气体流量计4显示的气体流量，可准确的调节气体流量控制阀3，使气体进气量满足一预定值且平稳的输出至气体驱动装置2中，驱动装置可平稳的驱动真空放置盒1由初始位置传送至晶圆卸载口，并进一步的将晶圆输出至反应腔体内进行离子注入反应。在一种较优的实施方式中，还包括一真空发生装置(未于图中示出)，每个真空吸附盘13与真空发生装置连接，真空发生装置用以控制每个真空吸附盘13吸附晶圆。上述技术方案中，设置于每个承托部12上的真空吸附盘13，可通过承托部12内部设置管路与真空发生装置连接，在真空放置盒1内所有的晶圆放置完成后，通过真空发生装置工作使每个真空吸附盘13形成真空状态，进而可吸附放置的晶圆，已进行下一步的传送。在一种较优的实施方式中，气体驱动装置2为气缸。上述技术方案中，气缸的本体可设置于高能离子注入机的机架上，气缸的活塞杆可与真空放置盒1连接，进而通过活塞杆的伸缩控制真空放置盒1子由初始位置传送至晶圆卸载口，并且可从晶圆卸载口位置回复至初始位置。在一种较优的实施方式中，相邻的晶圆放置结构11之间的设置间隔相同。上述技术方案中，设置间隔大于晶圆的厚度，进而可保证放置于承托部12上的晶圆不与相邻的晶圆接触。在一种较优的实施方式中，一对承托部12由不锈钢材质制成。在一种较优的实施方式中，真空吸附盘13由硅橡胶材质制成。上述技术方案中，真空吸附盘13的材料还可由丁晴橡胶、氟化橡胶和聚氨脂橡胶等材质制成。如图4所示，气体流量计4还可以设置在气体流量控制阀3上。本技术的技术方案中还包括一种高能离子注入机。一种高能离子注入机的实施例，其中，包括上述的的晶圆传送装置。以上所述仅为本技术较佳的实施例，并非因此限制本技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆传送装置，应用于高能离子注入机中，所述高能离子注入机包括一反应腔体，以及与所述反应腔体连接的一晶圆卸载口，通过一晶圆传送装置将晶圆自所述晶圆卸载口传送至所述反应腔体内，其特征在于，所述晶圆传送装置包括：真空放置盒，所述真空放置盒内设置有多个晶圆放置结构；每个所述晶圆放置结构包括：一对承托部，用以承托放置的所述晶圆；凸出的真空吸附盘，设置于所述一对承托部上，用以吸附所述晶圆；气体驱动装置，与所述真空放置盒连接，用以驱动所述真空放置盒自一初始位置水平移动至所述晶圆卸载口；气体流量控制阀，所述气体流量控制阀的进气端与一进气管连接，出气端与所述气体驱动装置连接，用以控制输入所述气体驱动装置中的气体流量；气体流量计，连接于所述气体流量控制阀与所述气体驱动装置之间，用以显示进入所述气体驱动装置中的进气量。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆传送装置，应用于高能离子注入机中，所述高能离子注入机包括一反应腔体，以及与所述反应腔体连接的一晶圆卸载口，通过一晶圆传送装置将晶圆自所述晶圆卸载口传送至所述反应腔体内，其特征在于，所述晶圆传送装置包括：真空放置盒，所述真空放置盒内设置有多个晶圆放置结构；每个所述晶圆放置结构包括：一对承托部，用以承托放置的所述晶圆；凸出的真空吸附盘，设置于所述一对承托部上，用以吸附所述晶圆；气体驱动装置，与所述真空放置盒连接，用以驱动所述真空放置盒自一初始位置水平移动至所述晶圆卸载口；气体流量控制阀，所述气体流量控制阀的进气端与一进气管连接，出气端与所述气体驱动装置连接，用以控制输入所述气体驱动装置中的气体流量；气体流量计，连接于所述气体流量控...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭侃，黄建勋，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42