一种反向器扇出数可调的环形振荡器及半导体存储器制造技术

技术编号:17365922 阅读:130 留言:0更新日期:2018-02-28 17:40
本发明专利技术提出一种反向器扇出数可调的环形振荡器,包括奇数个首尾相连的反向器单元,每个所述反向器单元包括输入端和输出端;所述反向器单元包括多个反向器;所述多个反向器的输入端之间通过开关装置连接;其中一个反向器的输入端连接于所述反向器单元的输入端,其输出端连接于所述反向器单元的输出端。通过控制所述开关装置的闭合和断开,可以在同一个结构上进行扇出数的调整,减少了振荡器的设计空间。

A circular oscillator with adjustable fan out of the counter and semiconductor memory

The invention provides a ring oscillator reverser fanout adjustable, including reverse unit of an odd number of end to end, each of the inverter unit includes input and output; the reverse unit includes a plurality of inverter; between the input terminal of the plurality of inverters connected by the switching device; an inverter input terminal connected to the input end of the inverter unit, the output end is connected to the back of the unit. By controlling the closing and breaking of the switching device, the number of fan out can be adjusted on the same structure, and the design space of the oscillator is reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种反向器扇出数可调的环形振荡器及半导体存储器
本专利技术涉及半导体存储
,尤其涉及一种反向器扇出数可调的环形振荡器及半导体存储器。
技术介绍
在现代电子电路应用的中,常常需要电路内部提供时钟定时、同步,或者需要测定电路中元器件的开关弛豫时间;在频率精度要求相对较宽松的场合,环形振荡器由于涉及简单、价格低廉,广泛的被应用。如图1所示,传统的环形振荡器100由奇数个反向器单元110首尾连接构成。所述环形震荡器的反向器单元110通常为一个或者由数个反相器111并联组成。实际应用中通常会使用不同扇出数(Fan-out)的结构去调节环形振荡器的震荡频率。所述扇出数是指每一级上反相器的数目。如图2所示,其为Fan-out=3的振荡器结构。为了达到不同扇出数的振荡器结构,往往需要单独在版图绘制时绘制出不同的结构。比如,在图2中的反向器单元110采用三个反向器111相互并联构成。然而现代半导体工艺尺寸最求的越来越小,上述技术需要绘制两种不同结构,不能满足现代工艺尺寸要求。因此,实现一种可以同时满足不同扇出数和小尺寸的振荡器是亟需的。以上的说明仅仅是为了帮助本领域技术人员理解本专利技术的背景,本文档来自技高网...
一种反向器扇出数可调的环形振荡器及半导体存储器

【技术保护点】
一种反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,包括奇数个首尾相连且串联配置的反向器单元,每个所述反向器单元包括输入端和输出端;所述反向器单元包括多个反向器,多个所述反向器的输入端之间通过开关装置连接,在同一所述反向器单元中的多个所述反向器为并联连接;其中一个反向器的输入端连接于所述反向器单元的输入端,所述其中一个反向器的输出端连接于所述反向器单元的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,包括奇数个首尾相连且串联配置的反向器单元,每个所述反向器单元包括输入端和输出端;所述反向器单元包括多个反向器,多个所述反向器的输入端之间通过开关装置连接,在同一所述反向器单元中的多个所述反向器为并联连接;其中一个反向器的输入端连接于所述反向器单元的输入端,所述其中一个反向器的输出端连接于所述反向器单元的输出端。2.根据权利要求1所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述反向器包括CMOS反向器。3.根据权利要求2所述反向器扇出数可调的环形振荡器,其特征在于,所述反向器包括PMOS晶体管和NMOS晶体管;所述PMOS晶体管的漏极接电源电压,所述NMOS晶体管的源极接地,所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极相连于所述反向器的输入端,所述PMOS晶体管的源极与NMOS晶体管的漏极连接于所述反向器的输出端。4.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:睿力集成电路有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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