高精准环形振荡器制造技术

技术编号:3418019 阅读:258 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高精准环形振荡器,它包括一个以MOS场效应管的阈值电压和可调电阻为基准的自偏置电流源以及至少一个环形振荡器级。它是利用自偏置电流源中的MOS场效应管的阈值电压和环形振荡器级的MOS场效应管的阈值电压相互补偿,消除由MOS场效应管工艺漂移和温度系数引起的环形振荡器输出频率不稳的现象。利用可调电阻的温度系数和MOS场效应管的寄生参数的温度系数的相互补偿,减小环形振荡器输出频率的温度系数。通过对可调电阻进行内部修调,可对输出信号频率进行微调,使之达到高精准的要求。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种环形振荡器,特别是涉及—种高精准的环形振荡器。技术背景当前较大规模集成片上的系统都需要一个较精准的时钟,作为数字模 块的时钟或作为同步或作为定时用。出于功耗和成本的考虑,片内环形振 荡器是一个较好的选择。这种振荡器不需要片外的晶体或电感电容等调谐 器件,仅需奇数个反相器串联并首尾相接。若千个反相器首尾相接的环形振荡器的输出信号频率受电源电压、温 度、工艺漂移等因素影响很大,无法达到高精准的应用要求。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述存在的问题,提供一种能抑制电源电压 的变化,具有温度和工艺补偿功能的环形振荡器。本技术为了达到上述的目的,所采取的技术方案是提供一种高精 准的环形振荡器,它包括至少一个环形振荡器级和与其电连接的供电电 源;所述的环形振荡器级包括两种不同导电类型的MOS场效应管构成的 反相器以及与其电连接的MOS场效应管;所述的供电电源是包括阈值电 压VTH与环形振荡器级中的MOS场效应管的阈值电压VTH相互补偿的 MOS场效应管和可调电阻的自偏置电流源。如上述本技术的环形振荡器,它包括一个以MOS.场效应管的阈值电压VTH和可调电阻为基准的自偏置电流源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精准环形振荡器,包括至少一个环形振荡器级和与其电连接的供电电源,其特征在于所述的环形振荡器级包括两种不同导电类型的MOS场效应管构成的反相器以及与其连接的MOS场效应管;所述的供电电源是包括阈值电压与环形振荡器级中的MOS场效应管的阈值电压相互补偿的MOS场效应管和可调电阻的自偏置电流源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王磊
申请(专利权)人:上海复旦微电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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