半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构和第二连接结构，所述栅极呈条形位于基底上并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。在本发明专利技术提供半导体结构中，通过所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，同时所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向且与所述第一掺杂区递增方向相反的方向递增，提高半导体结构的性能。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
在半导体
中，随着技术的不断发展，对于半导体器件的要求也越来越高。其中，射频开关器件作为通讯领域信号的开关是一种重要的开关器件，可应用于有线传输射频信号。在射频开关器件工作时，部分区域处于导通状态，部分区域处于关断状态。可以通过优值(FigureofMerit，FOM)来评价射频开关器件的性能或者工艺的特征测试参数。FOM＝Ron*Coff，其中，Ron是射频开关器件处于导通状态时的等效电阻值，Coff是射频开关器件处于关断状态时的等效电容值，Ron和Coff都受掺杂区的连接结构的影响。Coff是衡量射频开关器件在关态下隔离性能的参数；FOM越低则表示射频开关器件的综合性能越好。然而，现有技术中形成的射频开关器件的性能有待提高。如何提高半导体结构的性能是本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构，以提高现有技术的半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构和第二连接结构，所述栅极呈条形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：栅极，所述栅极呈条形位于基底上；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中，并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸；第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：栅极，所述栅极呈条形位于基底上；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中，并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸；第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接结构和所述第二连接结构之间沿所述栅极的延伸方向的间距相等。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接结构的投影在所述第一掺杂区内；所述第二连接结构的投影在所述第二掺杂区内。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极的数量为多个，多个所述栅极连接到一起呈梳状结构。5.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接结构的数量为多个，多个所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31