半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构和第二连接结构，所述栅极呈条形位于基底上并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。在本发明专利技术提供半导体结构中，通过所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，同时所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向且与所述第一掺杂区递增方向相反的方向递增，提高半导体结构的性能。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
在半导体
中，随着技术的不断发展，对于半导体器件的要求也越来越高。其中，射频开关器件作为通讯领域信号的开关是一种重要的开关器件，可应用于有线传输射频信号。在射频开关器件工作时，部分区域处于导通状态，部分区域处于关断状态。可以通过优值(FigureofMerit，FOM)来评价射频开关器件的性能或者工艺的特征测试参数。FOM＝Ron*Coff，其中，Ron是射频开关器件处于导通状态时的等效电阻值，Coff是射频开关器件处于关断状态时的等效电容值，Ron和Coff都受掺杂区的连接结构的影响。Coff是衡量射频开关器件在关态下隔离性能的参数；FOM越低则表示射频开关器件的综合性能越好。然而，现有技术中形成的射频开关器件的性能有待提高。如何提高半导体结构的性能是本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构，以提高现有技术的半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构和第二连接结构，所述栅极呈条形位于基底上，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于基底中，并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。可选的，在所述半导体结构中，所述第一连接结构和所述第二连接结构之间沿所述栅极的延伸方向的间距相等。可选的，在所述半导体结构中，所述第一连接结构的投影在所述第一掺杂区内；所述第二连接结构的投影在所述第二掺杂区内。可选的，在所述半导体结构中，所述栅极的数量为多个，多个所述栅极连接到一起呈梳状结构。可选的，在所述半导体结构中，所述第一连接结构的数量为多个，多个所述第一连接结构的横截面积大的一端连接到一起呈梳状结构；所述第二连接结构的数量为多个，多个所述第二连接结构的横截面积大的一端连接到一起呈梳状结构。可选的，在所述半导体结构中，所述第一连接结构还包括第一通孔连线，所述第一连接结构通过若干所述第一通孔连线连接所述第一连接结构；所述第二连接结构还包括第二通孔连线，所述第二连接结构通过若干所述第二通孔连线连接所述第二连接结构。可选的，在所述半导体结构中，若干所述第一通孔连接的横截面积沿所述第一连接结构的横截面积递增而递增；若干所述第二通孔连线的横截面积沿所述第二连接结构的横截面积递增而递增。可选的，在所述半导体结构中，所述第一连接结构和所述第二连接结构的材料均为金属。可选的，在所述半导体结构中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均为N型掺杂或P型掺杂。可选的，在所述半导体结构中，所述半导体结构用于射频开关器件。综上所述，在本专利技术提供半导体结构中，第一连接结构和第二连接结构作为电性连接分别引出第一掺杂区和第二掺杂区，通过所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，同时所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增，达到减小等效电阻值的目的，同时可实现不影响等效电容值大小，从而提高半导体结构的性能。附图说明图1是本专利技术实施例的半导体结构的俯视结构图；图2是本专利技术实施例的图1中A处的剖面示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。如图1和图2所示，本专利技术提供一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极10、第一掺杂区20、第二掺杂区30、第一连接结构40和第二连接结构50，所述栅极10呈条形位于基底60上，所述第一掺杂区20和所述第二掺杂区30位于所述基底60中，并分别位于所述栅极10两侧沿所述栅极10的伸展方向延伸，所述第一连接结构40连接所述第一掺杂区20，所述第二连接结构50连接所述第二掺杂区30，所述第一连接结构40的横截面积沿所述栅极10的延伸方向递增，所述第二连接结构50的横截面积沿所述栅极10的延伸方向递增且与所述第一连接结构40递增方向相反的方向递增。在结构上，所述第一连接结构40和所述第二连接结构50之间沿所述栅极10的延伸方向的间距相等，从而可不影响等效电容值，即沿栅极10的延伸方向上任意剖面上第一连接结构40与第二连接结构50之间的间距是相等的，在间距不变的情况下等效电容值大小不变。在第一连接结构40与第二连接结构50的横截面反向递增情况下，当第一连接结构40的一端趋近于栅极10时，则第二连接结构50相对的一端趋远于栅极10，可使两者之间的间距保持相等；反之亦然，在另一端也可使两者之间的间距保持相等。在本专利技术中，沿栅极10的延伸方向的剖面上，第一连接结构40和第二连接结构50可采用梯形、三角形、半圆形或半椭圆等多种形状的相对递增趋势，可以理解的是，本专利技术并不需要限制第一掺杂区或第二掺杂区的立体形状，只要两者具有相对的递增趋势，递增趋势可以是连续的也可以是断续的，当两者之间保持相等的间距，都在本专利技术的保护范围之内。在半导体
中，由于半导体结构的层层叠叠起来的结构，在电流走向的基础达到减小等效电阻的目的，本申请中的第一/第二连接结构可以起到积极的作用。从体积上考虑，所述第一连接结构40的投影在所述第一掺杂区20内，即第一连接结构40的投影落在第一掺杂区20内，也就是第一连接结构40的投影面积小于第一掺杂区20的投影面积，所述第二连接结构50的投影在所述第二掺杂区30内，即第二连接结构50的投影落在第二掺杂区30内，也就是第二连接结构50的投影面积小于第二掺杂区30的投影面积。在本实施例中，所述栅极10的数量为多个，多个所述栅极10连接到一起呈梳状结构，梳状结构是通过梳柄将多个梳柱连接到一起的结构，通过梳状结构实现多个栅极10作为梳柱连接到一起作为整体的电性连接。如图1和图2所示，所述第一掺杂区20和所述第二掺杂区30位于基底60中并分别位于所述栅极60两侧，则每个梳柱状的栅极10两侧各有一个第一掺杂区20和第二掺杂区30。为了方便图示及理解，在图1和图2中仅图示了部分结构，其中图2为图1在剖面A处的示意图，第二通孔连线51用虚线框表示其存在但并非处于剖面A上，从图1所示可观察到递增趋势，在图2仅能体现剖示示意图，其立体形状并不受附图所示限制。对应梳状结构的栅极，所述第一连接结构40的数量为多个，多个所述第一连接结构40的横截面积大的一端连接到一起呈梳状结构，通过梳状结构实现多个第一连接结构40作为梳柱连接到一起作为整体的电性连接，由于第一连接结构40横截面积的递增关系，使得第一第连接结构40一端的横截面积大而另一端小，所述第二连接结构50的数量为多个，多个所述第二连接结构50的横截面积大的一端连接到一起呈梳状结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：栅极，所述栅极呈条形位于基底上；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中，并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸；第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：栅极，所述栅极呈条形位于基底上；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中，并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸；第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接结构和所述第二连接结构之间沿所述栅极的延伸方向的间距相等。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接结构的投影在所述第一掺杂区内；所述第二连接结构的投影在所述第二掺杂区内。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极的数量为多个，多个所述栅极连接到一起呈梳状结构。5.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接结构的数量为多个，多个所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31