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本发明提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构和第二连接结构，所述栅极呈条形位于基底上并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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