一种LED芯片及其制备方法技术

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在形成覆盖外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构后，将承载外延结构的衬底去除，并在外延结构背离N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构，避免了衬底对LED芯片发光的吸收，可以实现360°的发光角度，实现了增加LED芯片发光角度的目的；并且，所述LED芯片的制备方法制备的LED芯片由于没有衬底对于光线的遮挡和吸收，因此无需制备结构较为复杂的分布式布拉格反射镜等反射结构提高光线的利用率，从而降低了LED芯片的制备工艺的复杂度。

A LED chip and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制备方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种LED芯片及其制备方法。
技术介绍
LED(发光二极管，LightEmittingDiode)芯片，也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件。现有技术中的LED芯片的结构如图1所示，由衬底10、位于衬底10表面的外延结构20、位于外延结构20表面的第一电极30、位于衬底10背离外延结构20一侧表面的第二电极40和反射结构70，位于反射结构70表面的引出电极50，所述引出电极50通过键合引线60与所述第一电极30电连接；所述外延结构20包括位于衬底10表面依次排列的N型氮化镓层21、量子阱层22和P型氮化镓层23。这种结构的LED芯片的受限于衬底遮光等原因，使得其发光角度一般在120°左右，无法满足更大发光角度的需求；并且为了增加出光效果，需要制备结构较为复杂的分布式布拉格反射镜(DistributedBraggReflection，DBR)等反射结构，使得整个LED芯片的制备工艺较为复杂。因此，亟需一种发光角度更大且制备工艺简单的LED芯片。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种LED芯片及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少包括N型导电层、量子阱层和P型导电层；对所述外延结构及衬底进行刻蚀，以在所述衬底表面、外延结构两侧分别形成一道切割痕迹，并使部分所述N型导电层暴露出来；蒸镀电极，以在所述N型导电层表面形成N电极，在所述P型导电层表面形成P电极，在所述衬底表面形成第一切割电极和第二切割电极，所述第一切割电极和第二切割电极分别位于所述外延结构两侧，且完全覆盖所述切割痕迹；设置第一引线和第二引线，以将所述N电极和P电极分别与所述第一切割电极和第二切割电极电连接；形成覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N...

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少包括N型导电层、量子阱层和P型导电层；对所述外延结构及衬底进行刻蚀，以在所述衬底表面、外延结构两侧分别形成一道切割痕迹，并使部分所述N型导电层暴露出来；蒸镀电极，以在所述N型导电层表面形成N电极，在所述P型导电层表面形成P电极，在所述衬底表面形成第一切割电极和第二切割电极，所述第一切割电极和第二切割电极分别位于所述外延结构两侧，且完全覆盖所述切割痕迹；设置第一引线和第二引线，以将所述N电极和P电极分别与所述第一切割电极和第二切割电极电连接；形成覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构；去除所述衬底，并在所述外延结构背离所述N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构；利用所述切割痕迹对所述第一切割电极和第二切割电极进行切割，以获得LED芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构包括：利用整面灌胶工艺覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极形成由预设材料形成的第一封装结构。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延结构背离所述N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构包括：利用点胶工艺覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面形成由预设材料形成的第二封装结构。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述预设材料为环氧树脂或硅-玻璃键合结构材料。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置第...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾钊，赵炆兼，张双翔，杨凯，陈凯轩，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32