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本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在形成覆盖外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构后，将承载外延结构的衬底去除，并在外延结构背离N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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