在化合物半导体表面制作纳米图形的方法技术

本发明专利技术公开了一种在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其步骤包括：在化合物半导体表面上制备金属薄膜，然后对基片进行高温退火处理，利用金属薄膜在高温时由于表面张力引起的自组织现象，在基片上制作金属薄膜的纳米图形，然后把金属纳米图形转移到化合物半导体表面，去除样品表面的残余金属层，在化合物半导体表面得到洁净的纳米结构。本发明专利技术公开的方法可以方便快捷的在化合物半导体表面制作纳米多孔模板，而且成本低，相较于纳米压印、铺设微球、电子束曝光等方式，有不可替代的优点；而且高温退火形成的纳米多孔图形，边界清晰，且有特征角度(60°和120°)，通过调节金属薄膜厚度和退火的温度、时间，可获得不同占空比的纳米多孔模板。

A method of making nano graphics on the surface of a compound semiconductor

The invention discloses a method for manufacturing a nano pattern on the surface of the compound semiconductor, which comprises the following steps: preparation of metal film on the surface of the compound semiconductor, then the substrate was annealed at a high temperature, the metal film at high temperature due to self-organization phenomenon caused by surface tension, making metal film on a substrate of nano graphics, and then transferred into a metal nano pattern to the surface of the compound semiconductor, removing residual metal layer on the surface of the sample, get the nano structure on the surface of the compound semiconductor clean. The method can be convenient in fabrication of nano porous template surface compound semiconductor, and low cost, compared to the nano imprint, laying microspheres, electron beam exposure etc., have irreplaceable advantages; nano porous graphics, and high temperature annealing on the formation of a clear boundary, and there is a characteristic angle (60 degrees and 120 degree, temperature and time) by adjusting the thickness and annealing of metal film, can obtain different nano porous template is accounted for.

【技术实现步骤摘要】
在化合物半导体表面制作纳米图形的方法
本专利技术专利涉及一种在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，属于半导体

技术介绍
Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体具有硅、锗所不具备的优良特性，可用于制备光电子器件、超高速微电子器件和微波器件等。典型的化合物半导体，例如三族氮化物半导体(InxGa1-xN)，属于直接带隙半导体，其禁带宽度在0.6eV到6.2eV之间连续可调，因此被广泛应用于半导体光电器件。近年来以氮化镓为代表的蓝光LED的制备技术已相对成熟，而以铝镓氮基为代表的紫外-深紫外LED技术仍需进一步完善。对于LED的研究，最重要两个的参数是内量子效率和外量子效率。对于蓝光LED来说，其内量子效率已接近90％，但是由于氮化镓和空气界面的全反射，绝大部分的光被限制在LED内部，仅有小于12％的光可以出射到空气中，因此极大影响了GaN基LED效率的提高。T.Fujiji等人通过激光剥离蓝宝石衬底、纳米压印和自然光刻的方法来增强GaN表面粗糙度，提高出光效率，但这些方法需要较高成本。在LED表面制作出纳米结构后，可以在此基础上制作新型LED器件，提高LED的发光特性。而一般在LED本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其步骤包括：在化合物半导体表面上制备金属薄膜，然后对基片进行高温退火处理，利用金属薄膜在高温时由于表面张力引起的自组织现象，在基片上制作金属薄膜的纳米图形，然后把金属纳米图形转移到化合物半导体表面，去除样品表面的残余金属层，在化合物半导体表面得到洁净的纳米结构。

【技术特征摘要】
1.一种在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其步骤包括：在化合物半导体表面上制备金属薄膜，然后对基片进行高温退火处理，利用金属薄膜在高温时由于表面张力引起的自组织现象，在基片上制作金属薄膜的纳米图形，然后把金属纳米图形转移到化合物半导体表面，去除样品表面的残余金属层，在化合物半导体表面得到洁净的纳米结构。2.根据权利要求1所述的在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其特征在于：所述金属薄膜厚度为4nm～20nm。3.根据权利要求1或2所述的在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其特征在于：所述高温退火氛围为惰性气体氛围，退火温度范围250-850℃，退火时间范围5s-10min。4.根据权利要求1或2所述的在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其特征在于：所述化合物半导体为Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族晶态无机化合物半导体。5.根据权利要求4所述的在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其特征在于：所述化合物半导体为氮化铝、氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，蒋府龙，刘亚莹，张荣，刘斌，谢自立，陈敦军，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32