Preparation and structure of a three-dimensional memory provided by the invention, the surface of the substrate, the corner of the side wall and the epitaxial silicon column type L forming a first silicon dioxide film, then the removal of the first silicon dioxide film, and then on the surface of the substrate, the corner of the outer side wall at the extension and the L formation of second silica film, can make the gate oxide layer of uniform thickness, the thickness of the corner in the L type epitaxial silicon column and the silicon substrate surface smooth, to avoid the charge leakage due to gate oxide structure L corner layer thickness is thin and sharp occur, improve the electrical products the stability and yield of products.
【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器的制备方法及其结构
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域,尤其涉及一种三维存储器的制备方法及其结构。
技术介绍
随着市场需求对存储器容量的不断提高,传统的基于平面或二维结构的存储器在单位面积内可提供的存储单元数量已经接近极限,无法进一步满足市场对更大容量存储器的需求。就如同在一块有限的平面上建立的数间平房,这些平房整齐排列,但是随着需求量的不断增加,平房的数量不断井喷,可最终这块面积有限的平面只能容纳一定数量的平房而无法继续增加。平面结构的存储器已接近其实际扩展极限,给半导体存储器行业带来严峻挑战。为了解决上述困难,业界提出了三维存储器(3DNAND)的概念,其是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。不同于将存储芯片放置在单面,新的3DNAND技术,垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度。基于该技术,可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。利用新的技术使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单晶片可用容量的限制,在同样体积大小的情况下,极大的提升了存储器颗粒单晶片的容量体积,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。如图1所示,三维存储器包括硅衬底10,硅衬底10上形成有阵列存储区;所述陈列存储区包括在所述硅衬底10上交替形成栅金属层(图中未示出)和氧化硅层13的多层堆叠结构14,在所述堆叠结构14中 ...
【技术保护点】
一种三维存储器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一基板,在所述基板上形成三维存储器的阵列存储区;在所述阵列存储区中形成接触通孔以暴露所述基板,在所述接触通孔底部暴露的基板上形成外延硅柱,所述外延硅柱的侧壁与所述基板形成L型的转角区;在所述基板的表面,所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第一二氧化硅薄膜;去除所述第一二氧化硅薄膜,去除所述二氧化硅薄膜后所述L型转角区从尖角的形貌转变为圆弧的形貌;在所述基板的表面,所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第二二氧化硅薄膜,所述第二二氧化硅薄膜在所述基板与所述外延硅柱的侧壁形成的L型转角区具有圆弧的形貌。
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一基板,在所述基板上形成三维存储器的阵列存储区;在所述阵列存储区中形成接触通孔以暴露所述基板,在所述接触通孔底部暴露的基板上形成外延硅柱,所述外延硅柱的侧壁与所述基板形成L型的转角区;在所述基板的表面,所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第一二氧化硅薄膜;去除所述第一二氧化硅薄膜,去除所述二氧化硅薄膜后所述L型转角区从尖角的形貌转变为圆弧的形貌;在所述基板的表面,所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第二二氧化硅薄膜,所述第二二氧化硅薄膜在所述基板与所述外延硅柱的侧壁形成的L型转角区具有圆弧的形貌。2.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法,其特征在于:所述形成第...
【专利技术属性】
技术研发人员:李广济,徐强,邵明,宋豪杰,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。