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本发明提供的一种三维存储器的制备方法及其结构，在基板的表面，外延硅柱的侧壁以及L型的转角区形成第一二氧化硅薄膜，接着去除所述第一二氧化硅薄膜，接着在所述基板的表面，所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第二二氧化硅薄膜，可以使栅氧结构层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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