一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件制造技术

本发明专利技术属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，用于降低现有MLSCR器件的触发电压。本发明专利技术低触发电压MLSCR器件在现有MLSCR器件基础上在跨接的第一种导电类型重掺杂区下方引入ESD注入层，该ESD注入层为中等掺杂浓度的第二种导电类型掺杂区，其掺杂浓度介于漏/源重掺杂区浓度和阱区掺杂浓度之间；由于ESD注入层的引入，本发明专利技术低触发电压MLSCR器件的触发模块由原本的N+/P‑well二极管变为N+/P‑esd二极管，N+/P‑esd二极管相比N+/P‑well二极管具有更低的反向雪崩电压，从而实现更低的触发电压；同时能够实现动态调节触发电压，进一步优化MLSCR器件触发电压。

A low trigger voltage MLSCR device for ESD protection

The invention belongs to the field of electronic technology, and specifically provides a low trigger voltage MLSCR device for ESD protection, which is used to reduce the triggering voltage of the existing MLSCR devices. The invention of low trigger voltage MLSCR device based on the existing MLSCR devices in the first conductivity type heavily doped region across below the introduction of ESD injection layer, the ESD into the second conductivity type doped region for the middle layer doping concentration, the doping concentration between the drain / source heavily doped region concentration and wells doping concentration; because of the introduction of ESD injection, the invention of low trigger module trigger voltage of MLSCR devices from the original N+/P to N+/P well diode ESD diode reverse voltage avalanche diode ESD N+/P N+/P compared well diode has a lower voltage, trigger and realizes the lower; at the same time to realize the dynamic adjustment of the trigger voltage, further optimization of MLSCR device trigger voltage.

【技术实现步骤摘要】
一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件
本专利技术属于电子
，具体涉及静电释放(ESD：Electro-Staticdischarge)保护电路的设计，尤指一种横向可控硅整流器SCR(Silicon-Controlled-Rectifier，简称SCR)，具体为一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件。
技术介绍
静电放电(Electro-StaticDischarge，简称ESD)是有限的电荷在两个不同电势的物体之间转移的事件。在人们日常生活中，ESD现象随处可见；例如，在10％的相对湿度下，人在地毯上行走可以产生高达35000伏的静电电压。对于集成电路来说，从生产到运输，系统集成以及用户使用，所有过程都有可能在集成电路的引脚上产生静电放电现象。ESD所产生的瞬间高压静电脉冲通过芯片管脚流经芯片内部，从而导致芯片内部线路损伤而无法正常工作；而有些芯片所受到的ESD损伤是潜伏的，通常无法在测试阶段发现，它带来的后果是最终产品交付到终端用户手中时，产品的使用寿命将会大大减少。在过去三十年的研究中发现，70％的芯片失效是由ESD事件引起的；据美国静电放电协会(ElectrostaticDischargeAssociation,EDSA)报道，全球每年因ESD对电子设备和系统所造成的损失高达450亿美金；因此，集成电路中ESD防护的设计及应用极其重要。对于片上(on-chip)ESD防护，要在一个特定半导体工艺上实现ESD器件的设计和优化，首先要确定该工艺的ESD设计窗口，ESD设计窗口就是ESD器件的安全工作区域。ESD设计窗口由两个边界确定，窗口的下限为1.1*VDD(VDD为芯片I/O端信号峰值或电源管脚的工作电压)，保护器件的箝位电压要高于此边界电压以避免闩锁效应的发生；设计窗口的上限为芯片内部核心电路能正常承受而不损坏的最大电压，保护器件要在该边界电压之前触发，一般来讲这个边界电压值为0.9*BVox(BVox是栅氧化层的击穿电压)；设计窗口上下限的乘积因子1.1和0.9表示为避免噪声影响各留出10％的安全余量。如图1所示为一个SCR器件的ESD设计窗口，其中，Vt1和It1是SCR器件的触发电压和触发电流，Vh和Ih是SCR器件的维持电压和维持电流，Vt2和It2是SCR器件的二次击穿电压和二次击穿电流；从图1可以看出，SCR器件的触发电压、维持电压和二次击穿电压一定要在该ESD设计窗口范围之内，即1.1*VDD～0.9*BVox之间，才能对内部电路起到有效的静电防护。基于SCR的ESD保护结构因其具有极高的效率并可以提供很高的ESD保护水平已成为ESD保护方案中的重要选择，但过高的触发电压和较低的维持电压是制约其发展应用的重要因素。如图2所示为常用的MLSCR(Modified-Lateral-SCR)器件结构及等效电路，该MLSCR器件是由一个寄生的PNP晶体管Q1、一个寄生的NPN晶体管Q2和一个反向二极管D1构成；其中，p型重掺杂区122、n型阱区120、p型阱区140、p型重掺杂区142构成寄生PNP晶体管Q1；n型重掺杂区141、p型阱区140、n型阱区120、n型重掺杂区121构成寄生NPN晶体管Q2；n型重掺杂区121、n型阱区120、n型重掺杂区131、p型阱区140和p型重掺杂区142构成反向二极管D1，其p-n结为N+/P-well结；RNW为n型阱区120电阻，RPW为p型阱区140电阻；如图3所示为该MLSCR器件的一种版图实现结构，阴影区域代表由二氧化硅形成的浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation,简称STI)；整个MLSCR器件由n型深阱区150将其与p型衬底110隔绝开；所述n型重掺杂区121和p型重掺杂区122与PAD1相连，作为MLSCR器件的阳极；所述n型重掺杂区141和p型重掺杂区142与PAD2相连，作为MLSCR器件的阴极。当给MLSCR器件的PAD1施加一个正脉冲时(PAD2接地)，首先反向二极管D1反偏，当反偏电压大于N+/P-well结的雪崩击穿电压时，该p-n结发生雪崩击穿，产生大量的电子-空穴对；产生的电子经n型重掺杂区131、n型阱区120、n型重掺杂区121到达PAD1，在n型阱区120的电阻RNW上产生压降，最终导致由p型重掺杂区122和n型阱区120构成的p-n结正偏，寄生PNP管开启；与此同时，雪崩产生的空穴经p型阱区140、p型重掺杂区142到达PAD2，在p型阱区140的电阻RPW上产生压降，最终导致由p型阱区140和n型重掺杂区141构成的p-n结正偏，寄生NPN管开启；此后寄生PNP管的集电极电流为寄生NPN管提供基极电流，同时寄生NPN管的集电极电流为寄生PNP管提供基极电流，两管形成电流正反馈机制，SCR导通。当给MLSCR器件的PAD2施加正脉冲(PAD1接地)时，此时SCR内部会由p型重掺杂区142、p型阱区140、n型阱区120和n型重掺杂区121构成一个内部二极管，此二极管与前述二极管D1均处于正向偏置状态，因此在这种情况下，MLSCR内部的两个二极管相并联，共同泄放ESD电流。随着集成电路工艺的不断进步，特征尺寸不断缩小；MOSFET栅极氧化层厚度的不断变薄使得栅极氧化层击穿电压BVox不断减小，大大降低了ESD设计窗口的上限，这使得很多传统的ESD防护器件不再适用；与此同时，为实现低功耗，芯片的工作电压整体也呈下降趋势，而这将降低了SCR器件发生latch-up的几率；因而，对于先进工艺下的ESD防护，如何降低SCR器件的触发电压是ESD器件优化的一个重要研究方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件(ESD-Modified-Lateral-SCR，简称EMLSCR)，用于降低现有MLSCR器件的触发电压；本专利技术中的低触发电压MLSCR器件结构与现有MLSCR结构相比，通过引入ESD注入层，在相同的版图面积下能够实现更低的触发电压，从而对先进纳米工艺下的IO电路提供有效ESD防护。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，包含第二种导电类型硅衬底(110)，所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(150)，所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(140)，所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区A(121)和第二种导电类型重掺杂区A(122)，所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂B(141)和第二种导电类型重掺杂区B(142)，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处设有第一种导电类型重掺杂区C(131)、左右边界分别位于两个阱区内；其特征在于，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处还设有一个ESD注入层(132)、位于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)下方，所述ESD注入层为第二种导电类型掺杂区、其掺杂浓度介于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)和所述第二种导电类型阱区(140)之间，其左右边界同样分别位于两个阱区内。需要特别说明的是：所述第一种导电类型阱区，所述第一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，包含第二种导电类型硅衬底(110)，所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(150)，所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(140)，所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区A(121)和第二种导电类型重掺杂区A(122)，所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂B(141)和第二种导电类型重掺杂区B(142)，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处设有第一种导电类型重掺杂区C(131)、其左右边界分别位于两个阱区内；其特征在于，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处还设有一个ESD注入层(132)、位于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)下方，所述ESD注入层为第二种导电类型掺杂区、其掺杂浓度介于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)和所述第二种导电类型阱区(140)之间，其左右边界同样分别位于两个阱区内。

【技术特征摘要】
1.一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，包含第二种导电类型硅衬底(110)，所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(150)，所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(140)，所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区A(121)和第二种导电类型重掺杂区A(122)，所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂B(141)和第二种导电类型重掺杂区B(142)，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处设有第一种导电类型重掺杂区C(131)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志伟，杜飞波，刘继芝，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51