The invention belongs to the field of electronic technology, and specifically provides a SCR device that is triggered by a longitudinal BJT for the protection of ESD. This method relies on the SCR device (VBTSCR) vertical BJT triggered an additional trigger pathway is introduced based on the traditional LSCR device: the first conductivity type well region into ESD injection layer constitute the base region of a transistor floating NPN vertical structure; ESD injection layer for P type doping area of a medium the doping concentration, the doping concentration between the drain / source of heavily doped active region concentration and wells doping concentration; the base structure of the longitudinal floating NPN transistor common emitter collector junction avalanche breakdown voltage of BVCEO is very small, which is used as the SCR trigger device, greatly reduce the trigger voltage of SCR devices can be realized, thus the circuit of the advanced nano technologies to provide effective protection for ESD.
【技术实现步骤摘要】
一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件
本专利技术属于电子
,具体涉及静电释放(ESD:Electro-Staticdischarge)保护电路的设计,尤指一种横向可控硅整流器SCR(Silicon-Controlled-Rectifier简称SCR),具体为一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件。
技术介绍
静电放电(Electro-StaticDischarge,简称ESD)是有限的电荷在两个不同电势的物体之间转移的事件。在人们日常生活中,ESD现象随处可见;例如,在10%的相对湿度下,人在地毯上行走可以产生高达35000伏的静电电压。对于集成电路来说,从生产到运输,系统集成以及用户使用,所有过程都有可能在集成电路的引脚上产生静电放电现象。ESD所产生的瞬间高压静电脉冲通过芯片管脚流经芯片内部,从而导致芯片内部线路损伤而无法正常工作;而有些芯片所受到的ESD损伤是潜伏的,通常无法在测试阶段发现,它带来的后果是最终产品交付到终端用户手中时,产品的使用寿命将会大大减少。在过去三十年的研究中发现,70%的芯片失效是由ESD事件引起的;据美国静电放电协会(ElectrostaticDischargeAssociation,EDSA)报道,全球每年因ESD对电子设备和系统所造成的损失高达450亿美金;因此,集成电路中ESD防护的设计及应用极其重要。对于片上(on-chip)ESD防护,要在一个特定半导体工艺上实现ESD器件的设计和优化,首先要确定该工艺的ESD设计窗口,ESD设计窗口就是ESD器件的安全工作区域。ESD设计窗口由两个 ...
【技术保护点】
一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件,包含第二种导电类型硅衬底(110),所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(140),所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(130),所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区B(123)和第二种导电类型重掺杂区A(124),所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂C(132)和第二种导电类型重掺杂区C(133);其特征在于,所述第二种导电类型阱区(130)内还设有第二种导电类型重掺杂区B(131),所述第一种导电类型阱区(120)内还设有第一种导电类型重掺杂区A(122)、以及位于第一种导电类型重掺杂区A下方的一个ESD注入层(121),所述ESD注入层(121)将所述第一种导电类型重掺杂区A(122)和所述第一种导电类型阱区(120)完全隔离开;所述ESD注入层为第二种导电类型掺杂区、其掺杂浓度介于所述第一种导电类型重掺杂区A(122)和所述第一种导电类型阱区(120)之间;所述第一种导电类型重掺杂区A(122)与第二种导电类型重掺杂区B(131) ...
【技术特征摘要】
1.一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件,包含第二种导电类型硅衬底(110),所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(140),所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(130),所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区B(123)和第二种导电类型重掺杂区A(124),所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂C(132)和第二种导电类型重掺杂区C(133);其特征在于,所述第二种导电类型阱区(130)内还...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜飞波,刘继芝,刘志伟,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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