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本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，用于降低现有MLSCR器件的触发电压。本发明低触发电压MLSCR器件在现有MLSCR器件基础上在跨接的第一种导电类型重掺杂区下方引入ESD注入层，该ESD注入层为...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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