【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种提高可控硅承受阳极电压上升率du/dt能力的方法，属于电力电子与高压变频
技术介绍
随着电力电子技术的发展和高压变频技术研宄的深入，高压变频装置的应用越来越广泛，并且高压变频装置的容量越来越大，对应用系统的稳定性影响越来越高。高压变频器中可控硅承受阳极电压上升率du/dt很高，往往容易误导通，以致出现变频器故障危及系统运行安全。如果能够提高可控硅承受阳极电压上升率du/dt的能力，使得可控硅不易误导通，那么对于系统的稳定运行是有帮助的。可控硅阻断时，其阴极和阳极之间相当于一个结电容，当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致可控硅的误导通。因此对可控硅承受阳极电压上升率du/dt必须加以限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制，但效果非常有限。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够有效提高可控硅承受的阳极电压上升率du/dt的能力的方法。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案是提供了，由主回路电源为可控硅提供阳极正向电压，可控硅的门极与阴极间串接串联的触发控制电源及开关一，其特征在于:电源的负极串接开关二后与可控硅的门极相连，电源的正极与可控硅的阴极相连，当开关一断开且开关二闭合后，由电源给可控硅的门极与阴极之间提供反向电压偏置，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，也不会产生充电电流，使可控娃误导通。本专利技术保证了可控硅的门极与阴极之间为负偏，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，不会产生充电电流，使可控硅误导通，这样就提高了可控硅承受的阳极电压上升率du/dt的能力...
【技术保护点】
一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法，由主回路电源为可控硅提供阳极正向电压，可控硅的门极(G)与阴极(K)间串接串联的触发控制电源及开关一(1)，其特征在于：电源的负极串接开关二(2)后与可控硅的门极(G)相连，电源的正极与可控硅的阴极(K)相连，当开关一(1)断开且开关二(2)闭合后，由电源给可控硅的门极(G)与阴极(K)之间提供反向电压偏置，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，也不会产生充电电流，使可控硅误导通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：逯乾鹏，赵莉，唐小亮，梁安江，
申请(专利权)人：上海发电设备成套设计研究院，上海科达机电控制有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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