【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，所述P型衬底上沿横向设置有N阱，其特征在于：在所述N阱和P型衬底上未设N阱的区域中，沿横向依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区；其中，所述第一N+注入区和第一P+注入区设置在N阱上，所述第三N+注入区的两端分别跨设在N阱和P型衬底未设N阱的区域上，所述多晶硅栅、第二N+注入区和第二P+注入区设置在P型衬底上未设N阱的区域；所述多晶硅栅、第二N+注入区和第三N+注入区在P型衬底上构成NMOS结构；所述第一N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区均接入电...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董树荣，钟雷，曾杰，郭维，
申请(专利权)人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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