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本实用新型公开了一种内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，所述P型衬底上沿横向设置有N阱，在所述N阱和P型衬底上未设N阱的区域中，沿横向依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、多晶硅栅、第二N+注入区和...
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